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公开(公告)号：CN118613900A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380019095.9
申请日：2023-01-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/033
Abstract: 示例性半导体处理方法可包括在基板上沉积含硼材料。含硼材料可沿着基板中的一个或多个特征的侧壁延伸。方法可包括形成含氧前驱物的等离子体以及使基板与含氧前驱物的等离子体流出物接触。接触可蚀刻基板中的一个或多个特征的一部分。接触可氧化含硼材料。
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