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公开(公告)号：CN120035879A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202380072629.4
申请日：2023-10-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/67
Abstract: 一种方法包括：在蚀刻腔室内提供基底结构，所述基底结构包括设置在基板上的目标层和设置在目标层上的蚀刻掩模；在蚀刻腔室内使用亚硫酰氯来干式蚀刻目标层以获得经处理的基底结构；以及之后形成多个特征。经处理的基底结构包括由蚀刻掩模限定的多个特征和多个开口。所述方法进一步包括从蚀刻腔室移除经处理的基底结构。在一些实施例中，目标层包括碳。在一些实施例中，在低于零度的温度下执行干式蚀刻。
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