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公开(公告)号：CN115605973A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180033056.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 应用材料公司(US)
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文中所提供的本公开的实施例包括用于在处理腔室中对基板进行等离子体处理的装置和方法。更具体地，本公开的实施例描述一种偏置机制，所述偏置机制被配置成将从RF发生器射频(RF)产生的RF波形提供至处理腔室内的一个或多个电极，且将从一个或多个脉冲电压(PV)发生器输送的脉冲电压(PV)波形提供至处理腔室内的一个或多个电极。本文所公开的(多个)等离子体工艺可用于控制离子能量分布函数(IEDF)的形状，以及在等离子体处理期间控制等离子体与基板表面的相互作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113597659B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202080021717.8
申请日：2020-01-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 潘尧令 , P·J·唐 , M·D·威尔沃斯 , L·M·泰德斯奇 , D·S·卞 , P·A·克劳斯 , P·A·克里米诺儿 , C·李 , R·丁德萨 , A·施密特 , D·M·库萨
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容总体上涉及一种用于确定与在等离子体处理腔室内的蚀刻中使用的环组件的腐蚀有关的度量的方法和设备。在一个示例中，设备被配置为获取指示在等离子体处理腔室中设置在基板支撑组件上的边缘环上的腐蚀的度量。传感器获取边缘环的度量。度量与边缘环中的腐蚀量相关。在另一示例中，环传感器可布置在基板支撑组件的外周的外部。度量可由环传感器通过等离子体屏来获取。
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公开(公告)号：CN114144861B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202080053370.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本文提供处理配件的实施例。在一些实施例中，一种用于在基板处理腔室中使用的处理配件包括：陶瓷环，所述陶瓷环具有上部表面和下部表面，其中陶瓷环包括布置于陶瓷环中的卡紧电极和布置于陶瓷环中的加热元件；以及边缘环，所述边缘环布置于陶瓷环上。
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公开(公告)号：CN115943475A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180041741.2
申请日：2021-06-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本文公开了用于处理基板的方法和设备。在一些实施例中，一种在蚀刻处理腔室中处理基板的方法，包括：在第一时间段内以约200kHz至约700kHz的第一频率将RF功率从RF偏压电源脉冲传送到设置在蚀刻处理腔室的基板支撑件中的下电极，以在蚀刻处理腔室的处理体积中产生等离子体，其中电导衬垫围绕处理体积以为蚀刻处理腔室的上电极提供接地路径；以及在第一时间段内以约2MHz到约13.56MHz的第二频率将RF功率从RF偏压电源脉冲传送到下电极。
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公开(公告)号：CN114144861A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080053370.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本文提供处理配件的实施例。在一些实施例中，一种用于在基板处理腔室中使用的处理配件包括：陶瓷环，所述陶瓷环具有上部表面和下部表面，其中陶瓷环包括布置于陶瓷环中的卡紧电极和布置于陶瓷环中的加热元件；以及边缘环，所述边缘环布置于陶瓷环上。
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公开(公告)号：CN113597659A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202080021717.8
申请日：2020-01-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 潘尧令 , P·J·唐 , M·D·威尔沃斯 , L·M·泰德斯奇 , D·S·卞 , P·A·克劳斯 , P·A·克里米诺儿 , C·李 , R·丁德萨 , A·施密特 , D·M·库萨
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容总体上涉及一种用于确定与在等离子体处理腔室内的蚀刻中使用的环组件的腐蚀有关的度量的方法和设备。在一个示例中，设备被配置为获取指示在等离子体处理腔室中设置在基板支撑组件上的边缘环上的腐蚀的度量。传感器获取边缘环的度量。度量与边缘环中的腐蚀量相关。在另一示例中，环传感器可布置在基板支撑组件的外周的外部。度量可由环传感器通过等离子体屏来获取。
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