公开(公告)号：CN115280464A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180018031.8

申请日：2021-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·帕里

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文中提供在工艺腔室中使用的衬垫的实施例。在一些实施例中，一种在工艺腔室中使用的衬垫包括：上部衬垫，具有拥有中心开口的顶板和从顶板的外部周边部分向下延伸的管状主体，其中顶板具有起伏的内部表面，所述起伏的内部表面具有拥有第一内直径的第一阶和拥有比第一内直径要大的第二内直径的第二阶，并且其中管状主体具有开口以用于通过所述开口而传送基板；以及下部衬垫，抵靠管状主体的底部表面，其中下部衬垫从管状主体径向向内延伸，并且包括布置在下部衬垫周围的多个径向狭槽，其中上部衬垫以及下部衬垫形成C形的剖面。

公开(公告)号：CN115943475A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180041741.2

申请日：2021-06-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·J·富兰克林 ,  R·丁德萨 ,  D·S·卞 ,  C·黄 ,  J·帕里 ,  J·H·罗杰斯

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本文公开了用于处理基板的方法和设备。在一些实施例中，一种在蚀刻处理腔室中处理基板的方法，包括：在第一时间段内以约200kHz至约700kHz的第一频率将RF功率从RF偏压电源脉冲传送到设置在蚀刻处理腔室的基板支撑件中的下电极，以在蚀刻处理腔室的处理体积中产生等离子体，其中电导衬垫围绕处理体积以为蚀刻处理腔室的上电极提供接地路径；以及在第一时间段内以约2MHz到约13.56MHz的第二频率将RF功率从RF偏压电源脉冲传送到下电极。