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公开(公告)号：CN117157170A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280026870.9
申请日：2022-02-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/04
Abstract: 一种抛光组件包括化学机械抛光系统、流体源、以及将流体从流体源承载至化学机械抛光系统中的流体传输导管。化学机械抛光系统包括：用于支撑抛光垫的平台，用于支撑基板并使基板与抛光垫接触的承载头，以及用于导致平台与承载头之间的相对运动的电机。流体传输导管包括：电气绝缘管，从管的第一端至管的第二端围绕管的外部直径缠绕的导电缠绕件，以及附接至导电缠绕件第一端的导电线。导电缠绕件被配置成传导静电放电，并且导电线被配置成使静电放电从导电缠绕件传导至接地源。
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公开(公告)号：CN111180305A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010081458.X
申请日：2014-04-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种在ICP等离子体处理腔室中用于高产出、衬底极端边缘缺陷减少的单环设计。本新型的实施例提供了单环，所述单环包括具有内部表面的圆环状的主体，所述内部表面最接近所述主体的中心线附近；所述主体亦包括相对于所述内部表面的外部表面。所述主体具有底表面及顶表面，所述底表面具有形成于其中的凹槽，所述顶表面具有相邻于所述外部表面的外部端点及相邻于斜坡的内部端点，所述斜坡朝向所述中心线往下延伸至所述内部表面上的台阶。所述主体具有设置于所述内部表面上的唇部，所述内部表面从所述台阶下的垂直面向外延伸朝向所述主体的所述中心线，且所述唇部是经配置以支撑其上的衬底。所述主体的尺寸设定使得小于大约2mm的缝隙形成于所述衬底与所述台阶的所述垂直面的间的所述唇部上。
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公开(公告)号：CN105746000B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201480062870.X
申请日：2014-10-27
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H05H1/46 , H05H2001/4652
Abstract: 公开了采用具有可移除接口的电介质导管组件的等离子体生成源以及相关组件和方法。所述等离子体生成源(PGS)包含具有多个内部表面的封闭主体，所述内部表面形成内部腔室，所述内部腔室具有输入端口和输出端口以分别接收用于生成等离子体的前体气体以及排放所述等离子体。电介质导管组件可引导气体和等离子体远离可能生成粒子的内部表面。电介质导管组件包含第一和第二交叉导管段。电介质管组件进一步包含平行的导管段，所述平行的导管段从第二交叉导管段延伸至远端，所述远端无间隙地且可移除地与所述第一交叉导管段的第一交叉导管接口对准。以此方式，可容易地保养所述电介质导管组件，并且所述电介质导管组件减少离子生成并保持粒子生成远离所述输出端口。
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公开(公告)号：CN105746000A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480062870.X
申请日：2014-10-27
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H05H1/46 , H05H2001/4652
Abstract: 公开了采用具有可移除接口的电介质导管组件的等离子体生成源以及相关组件和方法。所述等离子体生成源(PGS)包含具有多个内部表面的封闭主体，所述内部表面形成内部腔室，所述内部腔室具有输入端口和输出端口以分别接收用于生成等离子体的前体气体以及排放所述等离子体。电介质导管组件可引导气体和等离子体远离可能生成粒子的内部表面。电介质导管组件包含第一和第二交叉导管段。电介质管组件进一步包含平行的导管段，所述平行的导管段从第二交叉导管段延伸至远端，所述远端无间隙地且可移除地与所述第一交叉导管段的第一交叉导管接口对准。以此方式，可容易地保养所述电介质导管组件，并且所述电介质导管组件减少离子生成并保持粒子生成远离所述输出端口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119811974A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411937510.1
申请日：2019-09-20
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例总体上提供用于处理基板的设备和方法。更具体地，本公开的实施例提供一种处理腔室，所述处理腔室对设置在处理腔室中的基板的边缘具有增强的处理效率。在一个实施例中，处理腔室包含：腔室主体，所述腔室主体在处理腔室中界定内部处理区域；设置在处理腔室中的喷头组件，其中喷头组件具有多个区，其中在喷头组件的边缘区处的孔隙密度比在喷头组件的中心区处的孔隙密度更高；设置在处理腔室的内部处理区域中的基板支撑组件；以及设置在基板支撑组件的边缘上并且围绕基板支撑组件的集中环，其中集中环具有台阶，所述台阶具有基本上类似于底部宽度的侧壁高度。
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公开(公告)号：CN116083864A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310078654.5
申请日：2017-05-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种包含具有保护性涂层的主体的物件。此保护性涂层是包含金属氟氧化物的薄膜。此金属氟氧化物具有实验式MxOyFz，其中M是金属，y具有的值为x值的0.1至1.9倍，z具有的值为x值的0.1至3.9倍。此保护性涂层具有1至30微米的厚度与小于0.1％的孔隙度。
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公开(公告)号：CN113597659A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202080021717.8
申请日：2020-01-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 潘尧令 , P·J·唐 , M·D·威尔沃斯 , L·M·泰德斯奇 , D·S·卞 , P·A·克劳斯 , P·A·克里米诺儿 , C·李 , R·丁德萨 , A·施密特 , D·M·库萨
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容总体上涉及一种用于确定与在等离子体处理腔室内的蚀刻中使用的环组件的腐蚀有关的度量的方法和设备。在一个示例中，设备被配置为获取指示在等离子体处理腔室中设置在基板支撑组件上的边缘环上的腐蚀的度量。传感器获取边缘环的度量。度量与边缘环中的腐蚀量相关。在另一示例中，环传感器可布置在基板支撑组件的外周的外部。度量可由环传感器通过等离子体屏来获取。
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公开(公告)号：CN109196620A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780021736.9
申请日：2017-01-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/56 , H01L21/3065
Abstract: 一种方法，所述方法包括使包含钇基氧化物的制品浸没在包含水和1摩尔％～10摩尔％的HF酸的酸性清洁溶液中。所述HF酸会溶解部分的所述钇基氧化物。基于所述HF酸与所述钇基氧化物的已溶解部分之间的反应而形成钇基氟氧化物。所述钇基氟氧化物沉淀在所述制品上并且覆盖所述钇基氧化物而形成钇基氟氧化物涂层。所述酸性清洁溶液可以包含钇基盐，所述钇基盐可以额外与所述HF酸进行反应以形成更多的钇基氟氧化物。
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公开(公告)号：CN107968032A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201810036470.1
申请日：2011-10-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32862 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备。本发明还提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低于30mT的压力下执行，以从气体喷嘴孔的内表面移除原位沉积的SiOx涂层。实施例包括具有底部孔的气体喷嘴，所述底部孔的尺寸足够小，以减少或防止原位沉积的腔室涂层在喷嘴孔的内表面上积聚SiOx沉积物。
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