公开(公告)号：CN116711057A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180090593.3

申请日：2021-12-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·C·查克拉瓦希 ,  C·尼马 ,  A·A·坎古德 ,  E·内维尔 ,  V·S·贾姆卡恩迪 ,  K·R·朗厄兰 ,  S·A·阿拉姆 ,  徐明 ,  K·勒

IPC: H01L21/67

Abstract: 示例性基板处理系统可以包括盖板。所述系统可包括安置在盖板上的气体分流器。气体分流器可限定多个气体入口和气体出口。气体出口的数量可以大于气体入口的数量。所述系统可包括与气体分流器对接的多个阀块。每个阀块可以限定多个气体管腔。气体管腔中的每一者的入口可以与气体出口中的一者流体连通。气体分流器和每个阀块之间的界面可以包括扼流器。所述系统可包括安置在盖板上的多个输出歧管。所述系统可以包括多个输出焊件，其可以将气体管腔中的一者的出口与输出歧管中的一者耦合。

公开(公告)号：CN116420213A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202180071053.0

申请日：2021-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·拉杰夫 ,  Y·杨 ,  A·A·坎古德 ,  K·乔希

IPC: H01J37/32

Abstract: 示例性半导体处理室可以包括气箱，该气箱包括第一板，该第一板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。气箱的第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面的中心孔。第一板可以在第二表面中界定环形凹槽。第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面中的环形凹槽的多个孔。气箱可以包括第二板，该第二板由环形表征。第二板可以在环形凹槽处与第一板耦接，以在第一板内界定第一气室。

公开(公告)号：CN119998933A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380070538.7

申请日：2023-08-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·坎古德 ,  E·内维尔 ,  A·C·查克拉瓦希

IPC: H01L21/67

Abstract: 示例性半导体处理系统可以包括盖板和气体分离器。气体分离器可以安置在盖板上。气体分离器可以包括顶表面和多个侧表面。气体分离器可以限定：气体入口；气体出口；气体腔，所述气体腔在气体入口与气体出口之间延伸，并将气体入口与气体出口流体耦合；以及第一分流腔，所述第一分流腔与气体腔流体耦合，并将气体从处理腔室通过分流出口引导出去。半导体处理系统可以包括第一分流焊件。第一分流焊件可以从分流出口延伸并与分流出口流体耦合。第一分流焊件可以包括第一分流焊件出口和第二分流焊件出口。

公开(公告)号：CN116529847A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180080503.2

申请日：2021-10-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·C·保罗 ,  田中努 ,  A·J·菲施巴赫 ,  A·A·坎古德 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01J37/32

Abstract: 示例性处理系统可包括腔室主体。系统可包括底座，所述底座被配置成支撑半导体基板。系统可包括面板。腔室主体、底座和面板可限定处理区域。可将面板与RF电源耦接。系统可包括远程等离子体单元。远程等离子体单元可耦接在电气接地处。系统可包括放电管，所述放电管从远程等离子体单元向面板延伸。放电管可限定中心孔。面板和远程等离子体单元中的每一者可与放电管电耦接。放电管可包括围绕放电管中心孔延伸的铁氧体。

公开(公告)号：CN119856267A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380063982.6

申请日：2023-08-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·坎古德 ,  A·C·查克拉瓦希

IPC: H01L21/67

Abstract: 示例性半导体处理系统可以包括盖板。气体分流器可以安置在盖板上。气体分流器可包括顶表面和多个侧表面。气体分流器可限定气体入口、一个或多个气体出口、以及一个或多个气体管腔。一个或多个气体管腔可以在气体入口与一个或多个气体出口中的每一者之间延伸并且将气体入口与一个或多个气体出口中的每一者流体耦接。主气体焊件可延伸至气体入口并流体地耦接至气体入口。气体面板可以包括第一流体源和第二流体源，第一流体源和第二流体源各自与主气体焊件流体地耦接。一个或多个辅助气体焊件可以在一个或多个气体出口中的每一者与多个处理腔室中的相应一者之间延伸，并且将一个或多个气体出口中的每一者与多个处理腔室中的相应一者流体耦接。

公开(公告)号：CN119816934A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380063130.7

申请日：2023-08-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·坎古德 ,  B·N·拉马穆尔蒂 ,  A·C·查克拉瓦希 ,  V·K·普拉巴卡尔 ,  D·R·斯里车南姆

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 示例性基板处理系统可包括盖板。系统可包括具有RPS出口和旁通出口的气体馈送管线。系统可包括被支撑在盖板顶上的远程等离子体单元。远程等离子体单元可包括入口和出口。入口可与RPS出口耦接。系统可包括中心歧管，所述中心歧管具有与出口耦接的RPS入口以及与旁通出口耦接的旁通入口。中心歧管可包括多个出口端口。系统可包括多个侧歧管，所述多个侧歧管与出口端口流体耦接。侧歧管中的每一者可限定气体管腔。系统可包括安置在盖板上的多个输出歧管。每个输出歧管可与侧歧管中的一者的气体管腔流体耦接。

公开(公告)号：CN115244213A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019623.1

申请日：2021-02-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·慕克吉 ,  K·S·伊姆 ,  D·帕德希 ,  A·A·坎古德 ,  R·拉杰夫 ,  S·乔杜里

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/30 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02

Abstract: 形成含硅和碳材料的示例性方法可包括：将含硅和碳前驱物流入半导体处理腔室的处理区域内。基板可容置于半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：在处理区域内形成含硅和碳前驱物的等离子体。可在高于15MHz的频率下形成等离子体。所述方法可包括：将含硅和碳材料沉积于基板上。所沉积的含硅和碳材料的特征在于：低于或约3.0的介电常数。