公开(公告)号：CN115244213A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019623.1

申请日：2021-02-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·慕克吉 ,  K·S·伊姆 ,  D·帕德希 ,  A·A·坎古德 ,  R·拉杰夫 ,  S·乔杜里

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/30 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02

Abstract: 形成含硅和碳材料的示例性方法可包括：将含硅和碳前驱物流入半导体处理腔室的处理区域内。基板可容置于半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：在处理区域内形成含硅和碳前驱物的等离子体。可在高于15MHz的频率下形成等离子体。所述方法可包括：将含硅和碳材料沉积于基板上。所沉积的含硅和碳材料的特征在于：低于或约3.0的介电常数。

公开(公告)号：CN116420213A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202180071053.0

申请日：2021-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·拉杰夫 ,  Y·杨 ,  A·A·坎古德 ,  K·乔希

IPC: H01J37/32

Abstract: 示例性半导体处理室可以包括气箱，该气箱包括第一板，该第一板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。气箱的第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面的中心孔。第一板可以在第二表面中界定环形凹槽。第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面中的环形凹槽的多个孔。气箱可以包括第二板，该第二板由环形表征。第二板可以在环形凹槽处与第一板耦接，以在第一板内界定第一气室。