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公开(公告)号：CN116420213A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202180071053.0
申请日：2021-10-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： R·拉杰夫 , Y·杨 , A·A·坎古德 , K·乔希
IPC: H01J37/32
Abstract: 示例性半导体处理室可以包括气箱，该气箱包括第一板，该第一板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。气箱的第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面的中心孔。第一板可以在第二表面中界定环形凹槽。第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面中的环形凹槽的多个孔。气箱可以包括第二板，该第二板由环形表征。第二板可以在环形凹槽处与第一板耦接，以在第一板内界定第一气室。
