高传导性分流管道架构
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119998933A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202380070538.7

    申请日:2023-08-02

    Abstract: 示例性半导体处理系统可以包括盖板和气体分离器。气体分离器可以安置在盖板上。气体分离器可以包括顶表面和多个侧表面。气体分离器可以限定:气体入口;气体出口;气体腔,所述气体腔在气体入口与气体出口之间延伸,并将气体入口与气体出口流体耦合;以及第一分流腔,所述第一分流腔与气体腔流体耦合,并将气体从处理腔室通过分流出口引导出去。半导体处理系统可以包括第一分流焊件。第一分流焊件可以从分流出口延伸并与分流出口流体耦合。第一分流焊件可以包括第一分流焊件出口和第二分流焊件出口。

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