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公开(公告)号：CN116171486A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202180054924.8
申请日：2021-08-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 示例性半导体基板支撑件可以包括底座，所述底座具有轴与工作台。半导体基板支撑件可以包括盖板。盖板可以沿着盖板的第一表面与工作台耦接。盖板可在盖板的与第一表面相对的第二表面中限定凹进通道。半导体基板支撑件可包含圆盘，所述圆盘与盖板的第二表面耦接。圆盘可结合电极。圆盘可限定垂直延伸穿过圆盘以流体地进入盖板中限定的凹进通道的多个孔。
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公开(公告)号：CN109314051B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201780037704.8
申请日：2017-04-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213
Abstract: 本文提供了用于化学蚀刻硅的改进方法。在一些实施例中，蚀刻硅材料的方法包括以下步骤：(a)将硅材料暴露于含卤素气体；(b)从半导体处理腔室排出含卤素气体；(c)将硅材料暴露于胺蒸气以蚀刻硅材料的单层；(d)从半导体处理腔室排出胺蒸气；(e)任选地重复(a)‑(d)，以将硅材料蚀刻至预定厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116018673A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180054857.X
申请日：2021-08-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 示例性半导体基板支撑件可以包括底座轴。半导体基板支撑件可以包括工作台。工作台可以限定跨越工作台的第一表面的流体通道。半导体基板支撑件可以包括定位在工作台和底座轴之间的工作台绝缘体。半导体基板支撑件可包含传导性圆盘，所述传导性圆盘与工作台的第一表面耦接并且被配置成接触支撑在半导体基板支撑件上的基板。半导体基板支撑件可包含传导性屏蔽件，所述传导性屏蔽件沿着工作台绝缘体的背面延伸并且耦接在工作台绝缘体的一部分与底座轴之间。
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公开(公告)号：CN116508145A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202180077250.3
申请日：2021-10-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： R·帕蒂尔
IPC: H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可包括限定处理区域的腔室主体。系统可以包括定位在腔室主体顶部的衬垫。衬垫可以包括第一断开构件。系统可包括定位在衬垫顶部的面板。系统可以包括设置在腔室主体内的支撑件。支撑件可包括包含加热器的板。板可以包括第二断开构件。支撑件可包括与板耦接的轴。支撑件可包括围绕轴设置在板下方的动态板。支撑件可包括将板与动态板耦接的金属条带。动态板可包括内部断开构件和外部断开构件。内部断开构件可在传送位置与第二断开构件接合。外部断开构件可在处理位置与第一断开构件接合。
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公开(公告)号：CN109023310B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201810494227.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·克利须那 , R·帕蒂尔 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 , S·卡帕迪亚 , S·库纳卡特
Abstract: 公开了用于半导体处理腔室隔离以实现减少的颗粒和改善的均匀性的方法和设备。本公开内容的实现方式总体涉及用于在基板上均匀沉积薄膜的设备和方法。在一个实现方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体，腔室主体包括腔室壁、腔室底板和盖支撑件。等离子体处理腔室进一步包括基板支撑组件，基板支撑组件至少部分地设置在腔室主体内并配置成支撑基板。等离子体处理腔室进一步包括盖组件，盖组件设置在支撑组件上方并定位在盖支撑件上，其中盖组件和腔室主体限定第一处理容积。等离子体腔室进一步包括底部隔离组件，底部隔离组件包围基板支撑组件的至少一部分并可从装载位置竖直地移动到处理位置。当底部隔离组件在处理位置中时，在底部隔离组件与盖组件之间形成密封。
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公开(公告)号：CN109314051A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037704.8
申请日：2017-04-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213
Abstract: 本文提供了用于化学蚀刻硅的改进方法。在一些实施例中，蚀刻硅材料的方法包括以下步骤：(a)将硅材料暴露于含卤素气体；(b)从半导体处理腔室排出含卤素气体；(c)将硅材料暴露于胺蒸气以蚀刻硅材料的单层；(d)从半导体处理腔室排出胺蒸气；(e)任选地重复(a)-(d)，以将硅材料蚀刻至预定厚度。
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公开(公告)号：CN109023310A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810494227.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·克利须那 , R·帕蒂尔 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 , S·卡帕迪亚 , S·库纳卡特
CPC classification number: C23C16/50 , H01L21/67011
Abstract: 公开了用于半导体处理腔室隔离以实现减少的颗粒和改善的均匀性的方法和设备。本公开内容的实现方式总体涉及用于在基板上均匀沉积薄膜的设备和方法。在一个实现方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体，腔室主体包括腔室壁、腔室底板和盖支撑件。等离子体处理腔室进一步包括基板支撑组件，基板支撑组件至少部分地设置在腔室主体内并配置成支撑基板。等离子体处理腔室进一步包括盖组件，盖组件设置在支撑组件上方并定位在盖支撑件上，其中盖组件和腔室主体限定第一处理容积。等离子体腔室进一步包括底部隔离组件，底部隔离组件包围基板支撑组件的至少一部分并可从装载位置竖直地移动到处理位置。当底部隔离组件在处理位置中时，在底部隔离组件与盖组件之间形成密封。
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