公开(公告)号：CN109023310A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810494227.4

申请日：2018-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： G·克利须那 ,  R·帕蒂尔 ,  H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 ,  S·卡帕迪亚 ,  S·库纳卡特

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/50 ,  H01L21/67011

Abstract: 公开了用于半导体处理腔室隔离以实现减少的颗粒和改善的均匀性的方法和设备。本公开内容的实现方式总体涉及用于在基板上均匀沉积薄膜的设备和方法。在一个实现方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体，腔室主体包括腔室壁、腔室底板和盖支撑件。等离子体处理腔室进一步包括基板支撑组件，基板支撑组件至少部分地设置在腔室主体内并配置成支撑基板。等离子体处理腔室进一步包括盖组件，盖组件设置在支撑组件上方并定位在盖支撑件上，其中盖组件和腔室主体限定第一处理容积。等离子体腔室进一步包括底部隔离组件，底部隔离组件包围基板支撑组件的至少一部分并可从装载位置竖直地移动到处理位置。当底部隔离组件在处理位置中时，在底部隔离组件与盖组件之间形成密封。

公开(公告)号：CN109023310B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201810494227.4

申请日：2018-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： G·克利须那 ,  R·帕蒂尔 ,  H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 ,  S·卡帕迪亚 ,  S·库纳卡特

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了用于半导体处理腔室隔离以实现减少的颗粒和改善的均匀性的方法和设备。本公开内容的实现方式总体涉及用于在基板上均匀沉积薄膜的设备和方法。在一个实现方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体，腔室主体包括腔室壁、腔室底板和盖支撑件。等离子体处理腔室进一步包括基板支撑组件，基板支撑组件至少部分地设置在腔室主体内并配置成支撑基板。等离子体处理腔室进一步包括盖组件，盖组件设置在支撑组件上方并定位在盖支撑件上，其中盖组件和腔室主体限定第一处理容积。等离子体腔室进一步包括底部隔离组件，底部隔离组件包围基板支撑组件的至少一部分并可从装载位置竖直地移动到处理位置。当底部隔离组件在处理位置中时，在底部隔离组件与盖组件之间形成密封。