公开(公告)号：CN110870044B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201880036882.3

申请日：2018-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  F·王 ,  A·B·玛里克 ,  R·J·维瑟

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 描述了一种用于在基板上选择性沉积硅膜的方法，基板包含第一表面及第二表面。更具体而言，描述了沉积膜、处理膜以改变某些膜特性及从基板的各种表面选择性蚀刻膜的工艺。可重复沉积、处理及蚀刻以在两个基板表面中的一者上选择性沉积膜。

公开(公告)号：CN110313054A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201880012622.2

申请日：2018-02-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·R·阿内帕利 ,  P·S·古拉迪雅 ,  R·J·维瑟 ,  N·英格尔 ,  M·科罗利克 ,  J·比斯沃斯 ,  S·罗德哈

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 蚀刻半导体基板的系统和方法可包括使含氧前驱物流到半导体处理腔室的基板处理区域中。基板处理区域可容纳半导体基板，且半导体基板可包括暴露的含金属材料。方法可包括使含氮前驱物流到基板处理区域中。方法可进一步包括移除一定量的含金属材料。

公开(公告)号：CN109314051B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201780037704.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： G·巴贾杰 ,  R·帕蒂尔 ,  P·古拉迪雅 ,  R·J·维瑟

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3213

Abstract: 本文提供了用于化学蚀刻硅的改进方法。在一些实施例中，蚀刻硅材料的方法包括以下步骤：(a)将硅材料暴露于含卤素气体；(b)从半导体处理腔室排出含卤素气体；(c)将硅材料暴露于胺蒸气以蚀刻硅材料的单层；(d)从半导体处理腔室排出胺蒸气；(e)任选地重复(a)‑(d)，以将硅材料蚀刻至预定厚度。

公开(公告)号：CN112335032A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980023731.9

申请日：2019-03-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘鑫 ,  F·王 ,  程睿 ,  A·B·玛里克 ,  R·J·维瑟

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开的实施例涉及用于填充沟槽的工艺。所述工艺包括在层的表面上沉积第一非晶硅层，并在所述层中形成的沟槽的一部分中沉积第二非晶硅层，并且所述沟槽的侧壁的部分是暴露的。去除所述第一非晶硅层。所述工艺进一步包括在所述层的所述表面上沉积第三非晶硅层，并在所述第二非晶硅层上沉积第四非晶硅层。去除所述第三非晶硅层。可重复沉积/去除循环工艺，直到所述沟槽被非晶硅层填充为止。由于所述非晶硅层是自下而上形成的，因此所述非晶硅层在所述沟槽中形成无缝非晶硅间隙填充。

公开(公告)号：CN112335032B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN201980023731.9

申请日：2019-03-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘鑫 ,  F·王 ,  程睿 ,  A·B·玛里克 ,  R·J·维瑟

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开的实施例涉及用于填充沟槽的工艺。所述工艺包括在层的表面上沉积第一非晶硅层，并在所述层中形成的沟槽的一部分中沉积第二非晶硅层，并且所述沟槽的侧壁的部分是暴露的。去除所述第一非晶硅层。所述工艺进一步包括在所述层的所述表面上沉积第三非晶硅层，并在所述第二非晶硅层上沉积第四非晶硅层。去除所述第三非晶硅层。可重复沉积/去除循环工艺，直到所述沟槽被非晶硅层填充为止。由于所述非晶硅层是自下而上形成的，因此所述非晶硅层在所述沟槽中形成无缝非晶硅间隙填充。

公开(公告)号：CN110313054B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN201880012622.2

申请日：2018-02-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·R·阿内帕利 ,  P·S·古拉迪雅 ,  R·J·维瑟 ,  N·英格尔 ,  M·科罗利克 ,  J·比斯沃斯 ,  S·罗德哈

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 蚀刻半导体基板的系统和方法可包括使含氧前驱物流到半导体处理腔室的基板处理区域中。基板处理区域可容纳半导体基板，且半导体基板可包括暴露的含金属材料。方法可包括使含氮前驱物流到基板处理区域中。方法可进一步包括移除一定量的含金属材料。

公开(公告)号：CN110870044A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880036882.3

申请日：2018-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  F·王 ,  A·B·玛里克 ,  R·J·维瑟

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 描述了一种用于在基板上选择性沉积硅膜的方法，基板包含第一表面及第二表面。更具体而言，描述了沉积膜、处理膜以改变某些膜特性及从基板的各种表面选择性蚀刻膜的工艺。可重复沉积、处理及蚀刻以在两个基板表面中的一者上选择性沉积膜。

公开(公告)号：CN109314051A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780037704.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： G·巴贾杰 ,  R·帕蒂尔 ,  P·古拉迪雅 ,  R·J·维瑟

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3213

Abstract: 本文提供了用于化学蚀刻硅的改进方法。在一些实施例中，蚀刻硅材料的方法包括以下步骤：(a)将硅材料暴露于含卤素气体；(b)从半导体处理腔室排出含卤素气体；(c)将硅材料暴露于胺蒸气以蚀刻硅材料的单层；(d)从半导体处理腔室排出胺蒸气；(e)任选地重复(a)-(d)，以将硅材料蚀刻至预定厚度。

公开(公告)号：CN202839630U

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201090000947.8

申请日：2010-06-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： O·那拉玛苏 ,  C·盖伊 ,  V·L·普施帕拉吉 ,  K·K·辛格 ,  R·J·维瑟 ,  M·A·孚德 ,  R·霍夫曼

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022425 ,  B82Y10/00 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/0749 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/4213 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本实用新型涉及基于碳纳米管的太阳能电池及形成其的设备。太阳能电池中设有碳纳米管(CNT)，这些碳纳米管用于：界定太阳能电池的微米/次微米几何尺寸；及/或做为电荷传输体，以有效地从吸收层移除电荷载流子以减少吸收层中的电子空穴复合速率。太阳能电池可包含：基材；多个在该基材的该表面上的金属催化剂的区域；多个碳纳米管束状物，形成于该多个金属催化剂的区域上，每一束状物包括大略垂直于该基材的该表面而呈对准的碳纳米管；以及光活性太阳能电池层，形成于这些碳纳米管束状物及该基材的暴露表面上，其中该光活性太阳能电池层在这些碳纳米管束状物上及该基材的该暴露表面上为连续的。光活性太阳能电池层可包含非晶硅p/i/n薄膜；然而，本实用新型的概念亦可应用至具有微晶硅、SiGe、碳掺杂微晶硅、CIS、CIGS、CISSe以及各种p型二六族二元化合物以及三元与四元化合物的吸收层的太阳能电池。