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公开(公告)号：CN107564979B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610502875.0
申请日：2016-07-01
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L51/4213 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C22C26/00 , C22C2026/002 , C30B29/46 , C30B33/00 , H01L51/0012 , H01L51/0026 , H01L51/0048 , H01L51/0562 , Y02E10/549 , Y10S977/75 , Y10S977/827 , Y10S977/842 , Y10S977/938 , Y10S977/954
摘要： 一种光探测器，其包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一电流探测元件及一电源，该纳米异质结构包括一第一碳纳米管、一半导体层及一第二碳纳米管，所述第一碳纳米管与第一电极电连接，所述第二碳纳米管与第二电极电连接，所述第一电极和第二电极与电流探测元件电连接，所述电源与第一电极、第二电极电连接，所述第一电极、第二电极、电流探测元件以及电源形成一回路结构。
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公开(公告)号：CN105810747B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201410848447.4
申请日：2014-12-31
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L51/0525 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0529 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要： 本发明涉及一种N型薄膜晶体管，其包括一半导体碳纳米管层、一栅极、一源极及一漏极设置于一绝缘基底表面，所述栅极、半导体碳纳米管层依次层叠设置于所述绝缘基底表面，且所述栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置，所述源极及漏极间隔设置且分别与所述半导体碳纳米管层电连接，其中，进一步包括一功能性介质层及氧化镁层，所述功能性介质层设置于所述半导体碳纳米管层远离绝缘基底的表面；一氧化镁层，所述氧化镁层设置于所述半导体碳纳米管层与栅极之间，并且覆盖所述半导体碳纳米管层靠近所述栅极的表面。
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公开(公告)号：CN105940497B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201480074465.X
申请日：2014-12-04
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L51/0002 , H01L51/0048 , H01L51/0558
摘要： 一种半导体器件，包含沿着第一方向延伸以界定长度且沿着与第一方向垂直的第二方向延伸以界定高度的基板。该基板包含电介质层以及形成于电介质层上的至少一个栅极叠层。源极触头被形成于栅极叠层的第一侧的相邻处，并且漏极触头被形成于栅极叠层的相对第二侧的相邻处。碳纳米管形成于源极触头和漏极触头上。纳米管的第一部分形成源极。第二部分形成漏极。第三部分被置于源极和漏极之间，以界定沿第一方向延伸的栅极沟道。源极和漏极沿第二方向延伸，并具有比栅极沟道长的长度。
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公开(公告)号：CN108700768A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780011820.2
申请日：2017-02-24
申请人： 微软技术许可有限责任公司
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1343 , G03H1/02 , G03H1/22 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/134309 , B82Y30/00 , G02B5/0816 , G02F1/133345 , G02F1/133504 , G02F1/133509 , G02F1/133553 , G02F1/13363 , G02F1/13439 , G02F1/292 , G02F2001/13356 , G02F2001/133638 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/305 , G02F2202/36 , G02F2202/42 , G02F2203/12 , G02F2413/01 , G03H1/02 , G03H1/2202 , G03H2001/0224 , G03H2223/20 , G03H2223/24 , G03H2223/50 , G03H2223/53 , G03H2225/32 , G03H2225/52 , G03H2225/55 , H01L51/0048 , H01L51/102
摘要： 涉及减少相位调制设备中衍射图案的阶的示例被公开。示例相位调制设备包括具有相对的第一侧和第二侧的相位调制层、与相位调制层的第一侧相邻的公共电极、与相位调制层的第二侧相邻的多个像素电极、以及被设置在相位调制层和像素电极之间模糊材料。在相位调制设备的示例中，模糊材料被配置为平滑相位调制层中的、与像素电极相关联的局部区域之间的相变，像素电极具有像素间距，像素电极通过像素间距沿着相位调制层被分布，并且像素电极通过像素间间隙(g)被彼此分开，其中像素间间隙与像素间距的比率在0.50和1.0之间。
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公开(公告)号：CN108431981A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680073928.X
申请日：2016-12-16
申请人： OTI领英有限公司
CPC分类号： H01L51/529 , B82Y20/00 , H01L51/00 , H01L51/0046 , H01L51/0048 , H01L51/5256
摘要： 以下涉及用于有机光电子器件的屏障涂层。特别地，以下涉及屏障涂层以及用于在表面上沉积屏障涂层的方法和工艺。
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公开(公告)号：CN105209383B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201480024508.3
申请日：2014-03-03
申请人： 国立大学法人东京大学 , 株式会社电装
IPC分类号： C01B32/168 , H01L51/46 , H01G9/20
CPC分类号： H01G9/2045 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/022 , C01B31/0226 , C01B31/0233 , C01B32/158 , C01B32/16 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/08 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , H01G9/2022 , H01L51/0013 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/0587 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S977/751 , Y10S977/843 , Y10S977/846 , Y10S977/948
摘要： 本发明提供一种具有单层碳纳米管的膜及其制造方法，所述单层碳纳米管具有能够充分发挥其特性的形状。本发明提供一种膜，是具有单层碳纳米管的膜，该膜具有单层碳纳米管的密集部分和单层碳纳米管的稀疏部分，通过该密集部分在膜上形成类蜂窝结构。
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公开(公告)号：CN108020572A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610933463.2
申请日：2016-10-31
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： G01N23/22
CPC分类号： H01L21/02606 , B82B3/0071 , B82B3/009 , C01B2202/08 , G01N23/2251 , H01L51/0048 , Y10S977/742 , Y10S977/852 , Y10S977/881
摘要： 一种碳纳米管表征方法，其包括以下步骤：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；获得碳纳米管结构的照片，碳纳米管结构中的碳纳米管分布在照片衬底上。
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公开(公告)号：CN107925147A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048331.X
申请日：2016-08-10
申请人： 东丽株式会社
IPC分类号： H01P11/00 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/09 , G06K19/077 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H05K1/09 , H05K1/16
CPC分类号： G03F7/031 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/09 , G03F7/094 , G03F7/095 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/2022 , G03F7/322 , G06K19/077 , G06K19/07722 , H01L21/4853 , H01L21/4867 , H01L23/66 , H01L29/786 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0048 , H01L51/05 , H01L2223/6677 , H01P11/00 , H01Q1/2208 , H01Q1/38 , H01Q7/00 , H05K1/09 , H05K1/16 , Y10S977/742 , Y10S977/842 , Y10S977/954
摘要： 本发明的目的在于提供利用涂布法而精度良好地形成天线基板或带有布线和电极的天线基板的方法。本发明的方式之一为包括以下工序的带有布线和电极的天线基板的制造方法。(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2-A)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，(2-B)将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-C)将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3-A)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序，(3-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序。
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公开(公告)号：CN104103626B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201410127366.5
申请日：2014-03-31
申请人： 英特尔公司
发明人： H-J·巴斯
IPC分类号： H01L23/532
CPC分类号： H01L51/0048 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/768 , H01L21/76805 , H01L21/76849 , H01L21/76852 , H01L21/76879 , H01L23/147 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49872 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L23/53276 , H01L23/645 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L29/1606 , H01L2221/1094 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： 本申请公开了混合碳－金属互连结构。本公开的实施例涉及一种用于集成电路组件中的混合碳－金属互连结构的技术和构造。在一个实施例中，装置包括衬底、金属互连层和石墨烯层，该金属互连层设置在衬底上并且配置成作为石墨烯层的生长起始层，其中石墨烯层在金属互连层上直接形成，金属互连层和石墨烯层被配置成路由电信号。可描述和/或要求保护其它的实施例。
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公开(公告)号：CN105097429B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201410167831.8
申请日：2014-04-24
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/336
CPC分类号： H01L51/0566 , H01L51/0007 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L2251/301 , H01L2251/303
摘要： 本发明涉及一种碳纳米管复合膜的制备方法，其包括以下步骤：提供一含有多个半导体颗粒的第一悬浮液；将第一悬浮液中的多个半导体颗粒沉积于一基底的表面；提供一含有多根碳纳米管的第二悬浮液；以及，将第二悬浮液中的多根碳纳米管沉积在带有半导体颗粒的基底表面，形成一碳纳米管复合膜。
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