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公开(公告)号：CN107665957B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201710391404.1
申请日：2017-05-27
申请人： 株式会社日本显示器
发明人： 松泽兴明
CPC分类号： H01L51/56 , H01L51/0002 , H01L51/0017
摘要： 本发明提供一种显示装置的制造方法，其包括下述步骤：在具有由多个显示元件排列而成的显示区域的基板的包含显示区域的面，形成第一绝缘膜；使有机分子吸附于第一绝缘膜的与基板相反侧的第一面的大致整面；在第一绝缘膜的第一面，将吸附于第一区域的有机分子除去，其中第一区域被划定为包含显示区域且不到第一绝缘膜的端部的内侧的区域；在第一绝缘膜的被除去了有机分子的第一区域形成第二绝缘膜；除去吸附于第一绝缘膜的第一区域外的有机分子；和在第一绝缘膜和第二绝缘膜上，形成与第一绝缘膜在第二绝缘膜的外侧接触的第三绝缘膜。由此，能够抑制水分从绝缘膜的端部侵入，提供可靠性高的显示装置，并且能够使显示区域外周部更窄。
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公开(公告)号：CN109148738A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810955953.1
申请日：2018-08-21
申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
发明人： 任泓扬
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3218 , H01L51/0002 , H01L51/5012 , H01L51/5056
摘要： 本申请公开一种OLED面板及其制造方法。所述制造方法包括：形成阳极及位于阳极上的空穴注入层；在空穴注入层上涂布一层光刻胶；采用光罩对光刻胶进行曝光，并对曝光后的光刻胶进行显影，所述光刻胶的曝光区域被保留而其未曝光区域被去除并形成凹槽；采用IJP技术在凹槽中依次形成空穴传输层和发光层；去除剩余光刻胶；在发光层上依次形成电子传输层、电子注入层和阴极。基于此，本申请能够在实现较高的材料利用率的同时有利于制造高分辨率OLED面板。
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公开(公告)号：CN104347806B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201410360450.1
申请日：2014-07-25
申请人： 三星显示有限公司
CPC分类号： H01L51/508 , H01L27/3244 , H01L51/0002 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/5048 , H01L51/5088 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/56
摘要： 有机发光装置，包含：第一电极、在所述第一电极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的有机发光层、在所述有机发光层上的第一电子传输层、在所述有机发光层上的第二电子传输层、在所述第二电子传输层上的电子注入层及在所述电子注入层上的第二电极，其中，所述第一电子传输层包含用于改善热稳定性的第一材料、用于改善发光效率的第二材料及用于降低驱动电压的第三材料，并且所述第二电子传输层与所述第一电子传输层层压，并且所述第二电极面向所述第一电极。本发明还提供了有机发光显示器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN105742501B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610284076.0
申请日：2016-05-03
申请人： 苏州大学
CPC分类号： H01L51/102 , H01L51/0002 , H01L51/0021 , H01L51/005 , H01L51/0096
摘要： 本发明公开了基于经膦酸或三氯硅烷修饰的ITO玻璃基底的有机电存储器件及其制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：1）清洗ITO玻璃基底；2）形成膦酸或三氯硅烷修饰层；3）形成有机物镀膜层；4）形成电极，最终得到有机电存储器件。通过该方法，本发明制备了一系列三明治型有机电存储器件，制备方法简单、便捷，易于操作；与传统器件相比，开启电压得到降低，多进制的产率得到提升，解决了目前三进制产率较低的难题。对于未来的存储领域而言，具有极高的应用价值。
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公开(公告)号：CN107665957A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710391404.1
申请日：2017-05-27
申请人： 株式会社日本显示器
发明人： 松泽兴明
CPC分类号： H01L51/56 , H01L51/0002 , H01L51/0017 , H01L51/5253 , H01L27/3244
摘要： 本发明提供一种显示装置的制造方法，其包括下述步骤：在具有由多个显示元件排列而成的显示区域的基板的包含显示区域的面，形成第一绝缘膜；使有机分子吸附于第一绝缘膜的与基板相反侧的第一面的大致整面；在第一绝缘膜的第一面，将吸附于第一区域的有机分子除去，其中第一区域被划定为包含显示区域且不到第一绝缘膜的端部的内侧的区域；在第一绝缘膜的被除去了有机分子的第一区域形成第二绝缘膜；除去吸附于第一绝缘膜的第一区域外的有机分子；和在第一绝缘膜和第二绝缘膜上，形成与第一绝缘膜在第二绝缘膜的外侧接触的第三绝缘膜。由此，能够抑制水分从绝缘膜的端部侵入，提供可靠性高的显示装置，并且能够使显示区域外周部更窄。
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公开(公告)号：CN107452896A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710400285.1
申请日：2017-05-31
申请人： 诺瓦尔德股份有限公司
CPC分类号： H01L51/0072 , H01L51/0002 , H01L51/002 , H01L51/0021 , H01L51/0022 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0089 , H01L51/5012 , H01L51/5024 , H01L51/504 , H01L51/5068 , H01L51/5076 , H01L51/5234 , H01L51/56 , H01L2251/558
摘要： 本发明涉及一种包含有机半导体层的有机发光二极管。所述有机发光二极管包含阳极、透明阴极、至少一个发射层和至少一个有机半导体层，其中所述至少一个发射层和至少一个有机半导体层被布置在所述阳极与透明阴极之间，并且所述有机半导体层包含第一零价金属掺杂剂和第一基质化合物，其中所述第一基质包含至少两个菲咯啉基，本发明还涉及制造所述有机发光二极管的方法。
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公开(公告)号：CN107075657A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580037211.5
申请日：2015-07-09
申请人： 牛津大学科技创新有限公司
CPC分类号： H01G9/2009 , C23C14/0021 , C23C14/0694 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/5846 , C23C14/5893 , C23C16/409 , C23C16/45553 , C23C16/45557 , H01G9/2027 , H01L51/0002 , H01L51/0032 , H01L51/0056 , H01L51/006 , H01L51/0077 , H01L51/422 , H01L51/4226 , H01L2031/0344 , H01L2251/306 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种生产晶体材料的层的方法，该晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，该方法包括：(i)使基板于第一腔室中暴露在含第一前体化合物的蒸气中以在基板上产生第一前体化合物的层；以及(ii)使第一前体化合物的层于第二腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中以产生晶体材料的层，其中第二腔室中的压力高于高真空。本发明还提供了一种生产晶体材料的层的方法，该晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，该方法包括：使基板上的第一前体化合物的层于腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中以产生晶体材料的层，其中腔室中的压力高于高真空且小于大气压力。本发明还提供了一种生产包括晶体材料的层的半导体器件的方法，该方法包括通过本发明的方法生产晶体材料的层。
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公开(公告)号：CN107039592A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611040774.2
申请日：2010-08-16
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L51/56 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L51/0002 , H01L51/5028 , H01L51/5036 , H05B33/14 , Y02B20/181 , H01L51/5024
摘要： 本发明涉及有机发光层材料及其涂布液、有机发光元件以及光源装置。提供容易既能容易控制掺杂剂量又能获得白色发光的有机发光元件。该有机发光元件具有第一电极(12)、第二电极(11)、以及配置在第一电极和第二电极之间的发光层(3)，上述发光层含有主体材料、红色掺杂剂和蓝色掺杂剂，上述红色掺杂剂在上述发光层内具有浓度梯度或者用于在上述第一电极附近局部存在的第一取代基。
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公开(公告)号：CN106876591A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710078023.8
申请日：2017-02-14
申请人： 厦门大学
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4213 , H01L51/0002 , H01L51/42 , H01L51/4226
摘要： 本发明公开了一种平面结钙钛矿太阳能电池及其制作方法，包括依次层叠设置的衬底、二氧化钛层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和银电极层，其中，所述二氧化钛层为致密的层状结构。本发明制备的超细锐钛矿型二氧化钛纳米晶作为钙钛矿太阳能电池的电子传输致密层，从而缩减了介孔二氧化钛层的使用，优化了钙钛矿太阳能电池的器件结构，实现电池的低温退火工艺(≤120℃)，从而达到电池制备工艺过程更绿色、简单和降低成本的目的。
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公开(公告)号：CN106715376A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580050429.4
申请日：2015-08-28
申请人： 田中贵金属工业株式会社
CPC分类号： C07F15/004 , C07C45/77 , C07C49/92 , C07F15/00 , C09K11/06 , C09K2211/185 , C23C16/18 , H01L51/0002 , H01L51/0085 , H01L51/5016
摘要： 本发明提供一种三(β‑二酮)合铱的制造方法，其为使铱化合物与β‑二酮反应的三(β‑二酮)合铱的制造方法，其特征在于，对所述铱化合物进行包含下述的(a)碱处理和(b)酸处理的活化处理而将铱化合物活化之后，再与β‑二酮反应，(a)碱处理：在所述铱化合物的溶液中添加碱，使溶液的pH与碱添加前相比为更碱性侧，且使pH为10以上的处理；(b)酸处理：在进行了所述碱处理的所述溶液中添加酸，使溶液的pH与酸添加前相比为更酸性侧，且使酸添加前后的溶液的pH差成为0.1以上10以下的处理。根据本发明，可以利用广泛的β‑二酮制造三(β‑二酮)合铱。
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