Cu(I)@Ti3C2TxMXene催化材料及电极与在硝酸根还原中的应用

    公开(公告)号:CN112206797B

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202011177642.0

    申请日:2020-10-28

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 路建美 贺竞辉

    Abstract: 本发明公开了Cu(I)@Ti3C2Tx MXene催化材料及电极的制备方法及其在硝酸根还原氨中的应用,将硫酸铜加入Ti3C2Tx MXene溶液中,混合后洗涤离心,再除上清,得到Cu(I)@Ti3C2Tx MXene催化材料;再将Cu(I)@Ti3C2Tx MXene催化材料刷涂在碳布上,干燥得到硝酸根还原氨用催化电极。与已有的研究相比,本发明中制备的Cu(I)@Ti3C2Tx MXene催化材料具有很好的硝酸根转化率、优良的氨选择性、极低的亚硝酸根产生。

    聚磷酸铵忆阻器及其制备方法与在制备人工突触模拟器件中的应用

    公开(公告)号:CN110957423B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN201911245275.0

    申请日:2019-12-06

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 路建美 贺竞辉

    Abstract: 本发明公开了基于聚磷酸铵的忆阻器及其制备方法与在制备人工突触模拟器件中的应用,针对目前晶体管器件尺寸不断缩小达到极限的同时伴有芯片发热等一系列的副作用,新型电路元器件的研究与应用变得至关重要。本发明公开一种纳米级尺寸的忆阻器具有结构简单,尺寸小,功耗低,柔性好,微纳米级调控,易于集成,与mos系统的兼容性好等优势,是目前已知与突触尺寸和功能最接近的器件而可以进一步模仿人工智能的器件。

    基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及其制备方法与电存储器件

    公开(公告)号:CN109545965B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN201811362521.6

    申请日:2018-11-15

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 路建美 贺竞辉

    Abstract: 本发明公开了基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及器件的制备。针对目前制备过程复杂、有机化合物分子不易成膜及在柔性器件应用受限等问题,本发明利用单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物制成简单的三明治有机电存储器件,成功实现了有机电存储行为。在制备实验过程中,实现了分子的合成和器件的制备过程,而且所制备的柔性基底器件对于有机电存储在未来柔性器件的应用方面具有很大的实用价值,这大大拓宽了有机电存储器件的应用领域。

    Pt@Ti3C2TX MXene催化材料及其电极与制备方法和在还原氯霉素中的应用

    公开(公告)号:CN113862718A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111266688.4

    申请日:2021-10-28

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 路建美 贺竞辉

    Abstract: 本发明公开了一种Pt@Ti3C2Tx MXene催化材料及其电极与制备方法和在电化学还原氯霉素中的应用,将H2PtCl6溶液与Ti3C2Tx MXene溶液混合后,进行还原,然后离心处理,洗涤沉淀,得到Pt@Ti3C2Tx MXene催化材料,与导电基底复合,得到电化学还原氯霉素用电极。与已有的电化学还原氯霉素的报道相比,本发明制备的电极材料能高效地降解氯霉素,并且能够将氯霉素还原为更低毒性的产物,同时还具备优秀的循环稳定性和低的铂析出量。

    稠环方酰胺聚合物、基于稠环方酰胺聚合物的湿敏传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110702746B

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN201911033755.0

    申请日:2019-10-28

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 路建美 贺竞辉

    Abstract: 本发明公开了稠环方酰胺聚合物、基于稠环方酰胺聚合物的湿敏传感器及其制备方法,具体而言,本发明的湿敏传感器包含叉指电极和覆于叉指电极表面的镀膜材料,镀膜材料为稠环聚合物1,5‑PDAS,其被刷涂在叉指电极上。本发明的湿敏传感器具有如下优点:制备便捷,操作简单;响应时间短,小于2秒;回复时间短,小于1秒;器件性能稳定;在高湿度环境下,器件湿度滞后小,为6%。

    常温常压下以MCOF催化CO2为碳源制备甲酰胺类化合物的方法

    公开(公告)号:CN112920071A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110127803.3

    申请日:2021-01-29

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 路建美 贺竞辉

    Abstract: 本发明提供了一种常温常压下以MCOF催化CO2为碳源制备甲酰胺类化合物的方法,属于化学及化学工程技术领域。在常温常压条件下,以CO2作为碳源实现多种胺类底物的N‑甲酰化反应。本发明的优点是:该反应体系使用掺杂金属离子的二维共价有机框架MCOF为催化剂,常温常压下对CO2进行还原提供酰基,避免了使用高压氢气和有毒的CO,反应条件温和(常温常压)。本发明所述的制取甲酰胺的方法,以温室气体二氧化碳作为碳源、成本较低、操作简单、反应条件温和(常温常压),制备甲酰胺产品的收率优良(99%),为N‑酰化反应提供了一种绿色的合成方法。

    可用于低浓度二氧化氮的克酮酸菁聚合物传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112268936A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011105313.5

    申请日:2020-10-15

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 路建美 贺竞辉

    Abstract: 本发明公开了可用于低浓度二氧化氮的克酮酸聚合物传感器及其应用,公开了基于含共轭双离子结构的联苯二胺基克酮酸菁聚合物的二氧化氮电阻式传感器;公开的基于含共轭双离子结构的联苯二胺基克酮酸菁聚合物的二氧化氮传感器包括叉指电极以及覆于叉指电极上的镀膜材料;镀膜材料为含共轭双离子结构的联苯二胺基克酮酸菁聚合物,显示出对二氧化氮的优异的传感选择性,并且该传感器可在高温高湿下稳定工作,其最低检测限低至20 ppb,响应/回复时间为218 s/114 s;同时基于含共轭双离子结构的联苯二胺基克酮酸菁聚合物的二氧化氮传感器具有优异的选择性,可以有效排除其他气体的干扰。

    基于方酸菁聚合物的氨气/一氧化氮双组份传感器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108535333B

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN201810108596.5

    申请日:2018-02-02

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 路建美 贺竞辉

    Abstract: 本发明公开了基于方酸菁聚合物的氨气/一氧化氮双组份传感器及其制备方法和应用,对传感器制备方式条件进行了优化;本发明基于含偶氮官能团的方酸菁聚合物的氨气/一氧化氮双组份传感器包括叉指电极以及覆于叉指电极上的镀膜材料;镀膜材料为含偶氮官能团的方酸菁聚合物,显示出对氨气与一氧化氮的优异的传感选择性;同时其最低检测限低至1 ppb,响应/回复时间为82s/185s。本发明还测试了器件对一氧化氮的传感性能,其最低检测线可达到40 ppb,响应/回复时间112s/921s。

    一种基于钙钛矿Cs2PdBr6的湿敏传感器及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN110887874A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201911144604.2

    申请日:2019-11-20

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿Cs2PdBr6的湿敏传感器及其制备方法和用途。具体而言,本发明的湿敏传感器包含镀膜材料和叉指电极,镀膜材料为钙钛矿Cs2PdBr6,其被刷图在叉指电极上,厚度为100~400 μm。本发明的湿敏传感器具有如下优点:制备便捷,操作简单;响应时间短,对于湿度变化响应高于常见的金属氧化物;回复时间短,器件性能稳定;在高湿度环境下,器件滞湿性强。

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