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公开(公告)号：CN107075657A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580037211.5
申请日：2015-07-09
申请人： 牛津大学科技创新有限公司
CPC分类号： H01G9/2009 , C23C14/0021 , C23C14/0694 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/5846 , C23C14/5893 , C23C16/409 , C23C16/45553 , C23C16/45557 , H01G9/2027 , H01L51/0002 , H01L51/0032 , H01L51/0056 , H01L51/006 , H01L51/0077 , H01L51/422 , H01L51/4226 , H01L2031/0344 , H01L2251/306 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种生产晶体材料的层的方法，该晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，该方法包括：(i)使基板于第一腔室中暴露在含第一前体化合物的蒸气中以在基板上产生第一前体化合物的层；以及(ii)使第一前体化合物的层于第二腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中以产生晶体材料的层，其中第二腔室中的压力高于高真空。本发明还提供了一种生产晶体材料的层的方法，该晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，该方法包括：使基板上的第一前体化合物的层于腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中以产生晶体材料的层，其中腔室中的压力高于高真空且小于大气压力。本发明还提供了一种生产包括晶体材料的层的半导体器件的方法，该方法包括通过本发明的方法生产晶体材料的层。
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公开(公告)号：CN107075657B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201580037211.5
申请日：2015-07-09
申请人： 牛津大学科技创新有限公司
CPC分类号： H01G9/2009 , C23C14/0021 , C23C14/0694 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/5846 , C23C14/5893 , C23C16/409 , C23C16/45553 , C23C16/45557 , H01G9/2027 , H01L51/0002 , H01L51/0032 , H01L51/0056 , H01L51/006 , H01L51/0077 , H01L51/422 , H01L51/4226 , H01L2031/0344 , H01L2251/306 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种生产晶体材料的层的方法，该晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，该方法包括：(i)使基板于第一腔室中暴露在含第一前体化合物的蒸气中以在基板上产生第一前体化合物的层；以及(ii)使第一前体化合物的层于第二腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中以产生晶体材料的层，其中第二腔室中的压力高于高真空。本发明还提供了一种生产晶体材料的层的方法，该晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，该方法包括：使基板上的第一前体化合物的层于腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中以产生晶体材料的层，其中腔室中的压力高于高真空且小于大气压力。本发明还提供了一种生产包括晶体材料的层的半导体器件的方法，该方法包括通过本发明的方法生产晶体材料的层。
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