公开(公告)号：CN112335032B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN201980023731.9

申请日：2019-03-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘鑫 ,  F·王 ,  程睿 ,  A·B·玛里克 ,  R·J·维瑟

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开的实施例涉及用于填充沟槽的工艺。所述工艺包括在层的表面上沉积第一非晶硅层，并在所述层中形成的沟槽的一部分中沉积第二非晶硅层，并且所述沟槽的侧壁的部分是暴露的。去除所述第一非晶硅层。所述工艺进一步包括在所述层的所述表面上沉积第三非晶硅层，并在所述第二非晶硅层上沉积第四非晶硅层。去除所述第三非晶硅层。可重复沉积/去除循环工艺，直到所述沟槽被非晶硅层填充为止。由于所述非晶硅层是自下而上形成的，因此所述非晶硅层在所述沟槽中形成无缝非晶硅间隙填充。

公开(公告)号：CN110870044A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880036882.3

申请日：2018-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  F·王 ,  A·B·玛里克 ,  R·J·维瑟

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 描述了一种用于在基板上选择性沉积硅膜的方法，基板包含第一表面及第二表面。更具体而言，描述了沉积膜、处理膜以改变某些膜特性及从基板的各种表面选择性蚀刻膜的工艺。可重复沉积、处理及蚀刻以在两个基板表面中的一者上选择性沉积膜。

公开(公告)号：CN110870044B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201880036882.3

申请日：2018-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  F·王 ,  A·B·玛里克 ,  R·J·维瑟

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 描述了一种用于在基板上选择性沉积硅膜的方法，基板包含第一表面及第二表面。更具体而言，描述了沉积膜、处理膜以改变某些膜特性及从基板的各种表面选择性蚀刻膜的工艺。可重复沉积、处理及蚀刻以在两个基板表面中的一者上选择性沉积膜。

公开(公告)号：CN112335032A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980023731.9

申请日：2019-03-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘鑫 ,  F·王 ,  程睿 ,  A·B·玛里克 ,  R·J·维瑟

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开的实施例涉及用于填充沟槽的工艺。所述工艺包括在层的表面上沉积第一非晶硅层，并在所述层中形成的沟槽的一部分中沉积第二非晶硅层，并且所述沟槽的侧壁的部分是暴露的。去除所述第一非晶硅层。所述工艺进一步包括在所述层的所述表面上沉积第三非晶硅层，并在所述第二非晶硅层上沉积第四非晶硅层。去除所述第三非晶硅层。可重复沉积/去除循环工艺，直到所述沟槽被非晶硅层填充为止。由于所述非晶硅层是自下而上形成的，因此所述非晶硅层在所述沟槽中形成无缝非晶硅间隙填充。