具有电感耦合等离子体源的反应器

    公开(公告)号:CN117769754A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202280052666.4

    申请日:2022-07-25

    Abstract: 示例性半导体处理系统可包括电感耦合等离子体源。所述系统可包括RF功率源,所述RF功率源与电感耦合等离子体源电耦合。所述系统可包括第一气体源,所述第一气体源与电感耦合等离子体源流体耦合。所述系统可包括第二气体源。所述系统可包括双通道喷头组件,所述双通道喷头组件界定第一多个孔和第二多个孔。所述第一多个孔可与电感耦合等离子体源流体耦合。所述第二多个孔与所述第二气体源流体耦合。

    用于沉积和蚀刻的半导体处理腔室

    公开(公告)号:CN116018673A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202180054857.X

    申请日:2021-08-27

    Abstract: 示例性半导体基板支撑件可以包括底座轴。半导体基板支撑件可以包括工作台。工作台可以限定跨越工作台的第一表面的流体通道。半导体基板支撑件可以包括定位在工作台和底座轴之间的工作台绝缘体。半导体基板支撑件可包含传导性圆盘,所述传导性圆盘与工作台的第一表面耦接并且被配置成接触支撑在半导体基板支撑件上的基板。半导体基板支撑件可包含传导性屏蔽件,所述传导性屏蔽件沿着工作台绝缘体的背面延伸并且耦接在工作台绝缘体的一部分与底座轴之间。

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