公开(公告)号：CN115699252A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180042460.9

申请日：2021-07-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 程睿 ,  D·凯德拉亚 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  G·K·赫玛尼 ,  K·尼塔拉 ,  A·J·卢斯特格拉夫 ,  黄祖滨 ,  B·斯波尔丁 ,  S·沙尔玛 ,  K·陈

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56

摘要： 半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物流动至半导体处理腔室的处理区域中。基板可容纳在处理区域内，且基板可维持在低于或约450℃的温度下。方法可包括冲击含硅前驱物的等离子体。方法可包括在半导体基板上形成非晶硅层。非晶硅层的特征可在于小于或约3％的氢掺入。

公开(公告)号：CN114144863A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080044321.5

申请日：2020-04-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 孙顒 ,  P·P·杰哈 ,  梁璟梅 ,  M·J·西蒙斯 ,  D·李 ,  S·沙尔玛 ,  A·J·马耀 ,  W·R·阿德霍尔德

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67

摘要： 本案提供一种对在基板的表面上形成的介电膜进行后处理的方法，方法包括将其上形成有介电膜的基板定位在处理腔室中，并且将介电膜暴露于处理腔室中在5GHz至7GHz之间的频率下的微波辐射。

公开(公告)号：CN117769754A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202280052666.4

申请日：2022-07-25

申请人： 应用材料公司

发明人： K·C·保罗 ,  T·V·恩古耶 ,  D·凯德拉亚 ,  M·阿瓦米 ,  V·帕蒂尔 ,  S·沙尔玛

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 示例性半导体处理系统可包括电感耦合等离子体源。所述系统可包括RF功率源，所述RF功率源与电感耦合等离子体源电耦合。所述系统可包括第一气体源，所述第一气体源与电感耦合等离子体源流体耦合。所述系统可包括第二气体源。所述系统可包括双通道喷头组件，所述双通道喷头组件界定第一多个孔和第二多个孔。所述第一多个孔可与电感耦合等离子体源流体耦合。所述第二多个孔与所述第二气体源流体耦合。