公开(公告)号：CN116635570A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180085817.1

申请日：2021-11-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·V·哈桑 ,  A·K·辛格 ,  B·库玛

IPC: C23C16/505

Abstract: 一种方法包括以下步骤：使含碳前驱物和载气流入其中定位有基板的处理容积中；通过向基板支撑件施加第一RF偏压来在处理容积中产生等离子体，以将碳膜的第一部分沉积到基板上；以及终止含碳前驱物的流动，同时维持载气的流动，以将等离子体维持在处理容积内。方法还包括以下步骤：使含氮气体流入处理容积中并在存在等离子体的情况下将含氮气体离子化；将其上具有碳膜的基板暴露于离子化的含氮气体达少于三秒的时间段；以及终止含氮气体的流动，同时维持等离子体并在存在等离子体的情况下将含碳前驱物重新引入处理容积中，以沉积碳膜的第二部分。

公开(公告)号：CN112534542B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201980049624.3

申请日：2019-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·B·沙 ,  V·V·哈桑 ,  B·库玛 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供用于产生一流量的自由基的设备和方法。离子阻断器位于与远程等离子体源的面板相距一距离处。离子阻断器具有开口以允许等离子体流过。相对于位于离子阻断器的相对侧上的喷淋头极化离子阻断器，使得实质上没有等离子体气体离子通过喷淋头。

公开(公告)号：CN116568862A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180082511.0

申请日：2021-10-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·V·哈桑 ,  B·库玛 ,  A·K·辛格

IPC: C23C16/505

Abstract: 本公开的实施例关于半导体处理。更具体地，本公开的实施例关于用于陈化处理腔室的一个或多个部件的方法。在至少一个实施例中，一种用于陈化处理腔室的方法包括在约4mTorr至约20mTorr的腔室压力和低于约200℃或约200℃至约400℃的温度下将陈化膜沉积到处理腔室的部件上。方法包括将沉积膜沉积到陈化膜上。在至少一个实施例中，方法包括将含氮气体引入陈化膜以形成经氮处理的陈化膜。在将沉积膜沉积到陈化膜上之前执行将含氮气体引入陈化膜。

公开(公告)号：CN116235278A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202180063641.X

申请日：2021-09-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·K·辛格 ,  R·库斯特拉 ,  V·V·哈桑 ,  B·库玛 ,  K·尼塔拉 ,  P·曼纳 ,  K·C·阿拉亚瓦里 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩

IPC: H01L21/033

Abstract: 本公开的实施例总体涉及使用双频率的顶部、侧壁和底部源在基板和腔室的盖的表面上沉积大于厚度的碳膜层的方法。方法包括将气体引导至腔室的处理空间。提供具有约40MHz或更大的第一频率的第一射频(RF)功率至腔室的盖。提供具有第二频率的第二RF功率至设置在处理空间内的基板支撑件中的偏压电极。第二频率为约10MHz至约40MHz。提供具有约400kHz至约2MHz的较低频率的额外第三RF功率至偏压电极。

公开(公告)号：CN112534542A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201980049624.3

申请日：2019-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·B·沙 ,  V·V·哈桑 ,  B·库玛 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供用于产生一流量的自由基的设备和方法。离子阻断器位于与远程等离子体源的面板相距一距离处。离子阻断器具有开口以允许等离子体流过。相对于位于离子阻断器的相对侧上的喷淋头极化离子阻断器，使得实质上没有等离子体气体离子通过喷淋头。