公开(公告)号：CN110249416B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201880009737.6

申请日：2018-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·库玛 ,  P·科特努尔 ,  S·巴蒂亚 ,  A·K·辛格 ,  V·B·沙赫 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  C·王

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开的实现整体涉及一种用于减少等离子体处理腔室中的基板上的颗粒污染的设备。用于减少的颗粒污染的设备包括腔室主体、耦接到所述腔室主体的盖。所述腔室主体和所述盖之间限定处理容积。所述设备还包括设置在所述处理容积中的基板支撑件以及边缘环。所述边缘环包括设置在基板上方的内部凸缘、连接到所述内部凸缘的顶表面、与所述顶表面相对并从所述基板支撑件径向向外延伸的底表面、以及在所述底表面与所述内部凸缘之间的内部台阶。为了避免在等离子体断电时将颗粒沉积在正在处理的所述基板上，所述边缘环使高等离子体密度区从所述基板的边缘区域被移开。

公开(公告)号：CN117174641A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311147881.5

申请日：2018-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·库玛 ,  P·科特努尔 ,  S·巴蒂亚 ,  A·K·辛格 ,  V·B·沙赫 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  C·王

IPC: H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50

Abstract: 本公开的实现整体涉及一种用于减少等离子体处理腔室中的基板上的颗粒污染的设备。用于减少的颗粒污染的设备包括腔室主体、耦接到所述腔室主体的盖。所述腔室主体和所述盖之间限定处理容积。所述设备还包括设置在所述处理容积中的基板支撑件以及边缘环。所述边缘环包括设置在基板上方的内部凸缘、连接到所述内部凸缘的顶表面、与所述顶表面相对并从所述基板支撑件径向向外延伸的底表面、以及在所述底表面与所述内部凸缘之间的内部台阶。为了避免在等离子体断电时将颗粒沉积在正在处理的所述基板上，所述边缘环使高等离子体密度区从所述基板的边缘区域被移开。

公开(公告)号：CN110249416A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880009737.6

申请日：2018-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·库玛 ,  P·科特努尔 ,  S·巴蒂亚 ,  A·K·辛格 ,  V·B·沙赫 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  C·王

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开的实现整体涉及一种用于减少等离子体处理腔室中的基板上的颗粒污染的设备。用于减少的颗粒污染的设备包括腔室主体、耦接到所述腔室主体的盖。所述腔室主体和所述盖之间限定处理容积。所述设备还包括设置在所述处理容积中的基板支撑件以及边缘环。所述边缘环包括设置在基板上方的内部凸缘、连接到所述内部凸缘的顶表面、与所述顶表面相对并从所述基板支撑件径向向外延伸的底表面、以及在所述底表面与所述内部凸缘之间的内部台阶。为了避免在等离子体断电时将颗粒沉积在正在处理的所述基板上，所述边缘环使高等离子体密度区从所述基板的边缘区域被移开。