公开(公告)号：CN116568856A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180080877.4

申请日：2021-10-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许瑞元 ,  K·尼塔拉 ,  P·曼纳 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: C23C16/02

Abstract: 本公开内容的实施例总体涉及硬模和通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成硬模的工艺。在实施例中，提供用于在基板上形成硬模层的工艺。工艺包括将基板引入PECVD腔室的处理空间，基板在基板支撑件上，基板支撑件包括静电夹盘；以及流动处理气体进入PECVD腔室内的处理空间中，处理气体包括含碳气体。工艺进一步包括在等离子体条件下从处理空间中的处理气体形成激励的处理气体，将基板静电夹持到基板支撑件，在静电夹持基板的同时在基板上沉积第一含碳层，并通过在基板上沉积第二含碳层来形成硬模层。

公开(公告)号：CN116568857A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180080876.X

申请日：2021-10-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许瑞元 ,  B·库玛 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  P·曼纳

IPC: C23C16/26

Abstract: 本公开内容的实施例总体涉及形成硬模的方法。本文描述的实施例使得能够例如形成具有降低的膜应力的含碳硬模。在实施例中，提供了处理基板的方法。方法包括将基板定位在处理腔室的处理空间中，并在基板上沉积类金刚石碳(DLC)层。在沉积DLC层之后，通过执行等离子体处理来降低膜应力，其中等离子体处理包括施加约100W至约10,000W的射频(RF)偏压功率。

公开(公告)号：CN116075920A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180042770.0

申请日：2021-06-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许瑞元 ,  P·曼纳 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02

Abstract: 本公开内容的实施例总的来说涉及制造集成电路。更特定地，本文描述的实施例提供了用于沉积用于图案化应用的氮掺杂的类金刚石碳膜的技术。在一个或多个实施例中，一种用于处理基板的方法包括：使含有烃化合物和氮掺杂剂化合物的沉积气体流入在静电卡盘上定位有基板的工艺腔室的处理体积中；和通过将第一RF偏压施加到静电卡盘来在基板处或上方产生等离子体，以在基板上沉积氮掺杂的类金刚石碳膜。氮掺杂的类金刚石碳膜具有大于1.5g/cc的密度和约‑20MPa至小于‑600MPa的压缩应力。

公开(公告)号：CN115885366A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180043452.6

申请日：2021-06-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许瑞元 ,  P·曼纳 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02

Abstract: 本公开的实施例总体上涉及集成电路的制造。更具体地，本文描述的实施例提供了用于产生用于图案化应用的应力减小的类金刚石碳膜的方法。在一个或多个实施例中，一种方法包括将含有碳氢化合物的沉积气体流入具有定位在静电夹盘上的基板的处理腔室的处理容积中，及通过将第一RF偏压施加到静电夹盘在处理容积中的基板上方产生等离子体以在基板上沉积受应力的类金刚石碳膜。受应力的类金刚石碳膜具有‑500MPa或更大的压缩应力。方法进一步包括加热受应力的类金刚石碳膜以在热退火工艺期间产生应力减小的类金刚石碳膜。应力减小的类金刚石碳膜具有小于‑500MPa的压缩应力。

公开(公告)号：CN117652010A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202280050503.2

申请日：2022-07-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许瑞元 ,  P·曼纳 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/505

Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于将膜模量保持在预定模量范围内的方法、设备和系统。在一个实施方式中，一种处理基板的方法包括将一种或多种处理气体引入处理腔室的处理空间中，以及在被支撑在设置于处理空间中的基板支撑件上的基板上沉积膜。所述方法包括向基板支撑件的一个或多个偏置电极同时供应第一射频(RF)功率和第二RF功率。第一RF功率包括第一RF频率，并且第二RF功率包括小于第一RF频率的第二RF频率。膜的模量保持在预定模量范围内。