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公开(公告)号：CN111492469B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201880081789.4
申请日：2018-12-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本技术包含改进的气体分配设计，以在半导体处理操作期间形成均匀的等离子体，或用于处理半导体处理腔室的内部。虽然传统气体分配组件可接收随后被分配进入等离子体区域中的特定反应物或反应物比例，本文所述技术允许对反应物输入分配的改进的控制。技术允许使反应剂分开流入等离子体的不同区域，以抵销所观察到的工艺均匀度中的任何异常。可将第一前驱物传递至在基板/底座中心上方的等离子体中心，同时可将第二前驱物传递至在基板/底座外部部分上方的等离子体外部部分。藉此，位于底座上的基板可经历跨整个表面的更均匀的蚀刻或沉积轮廓。
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公开(公告)号：CN116941014A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280019632.5
申请日：2022-02-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 各方面总体上涉及用于使用一个或多个无定形碳硬模层处理基板的方法、系统和装置。在一方面中，改变膜应力同时促进增强的蚀刻选择性。在一种实施方式中，一种处理基板的方法包括将一个或多个无定形碳硬模层沉积到基板上，以及在沉积一个或多个无定形碳硬模层之后在基板上进行快速热退火操作。快速热退火操作持续达60秒或更短的退火时间。快速热退火操作包括将基板加热到在600摄氏度至1,000摄氏度的范围内的退火温度。所述方法包括在进行快速热退火操作之后蚀刻基板。
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公开(公告)号：CN111492469A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880081789.4
申请日：2018-12-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本技术包含改进的气体分配设计，以在半导体处理操作期间形成均匀的等离子体，或用于处理半导体处理腔室的内部。虽然传统气体分配组件可接收随后被分配进入等离子体区域中的特定反应物或反应物比例，本文所述技术允许对反应物输入分配的改进的控制。技术允许使反应剂分开流入等离子体的不同区域，以抵销所观察到的工艺均匀度中的任何异常。可将第一前驱物传递至在基板/底座中心上方的等离子体中心，同时可将第二前驱物传递至在基板/底座外部部分上方的等离子体外部部分。藉此，位于底座上的基板可经历跨整个表面的更均匀的蚀刻或沉积轮廓。
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