公开(公告)号：CN113785380A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202080032737.5

申请日：2020-04-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 越泽武仁 ,  程睿 ,  辛格·特金德 ,  押尾英隆

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02

Abstract: 在实施方式中，一种形成用于半导体处理的特征的方法。第一心轴和第二心轴形成于基板上。沿着第一心轴的第一侧壁形成第一间隔物，且沿着第二心轴的第二侧壁形成第二间隔物。间隙界定于第一间隔物与第二间隔物之间。藉由间隙填充材料填充间隙。在一些实例中，间隙填充材料包括掺杂的硅材料。在一些实例中，第一间隔物和第二间隔物各自包括掺杂的硅材料。

公开(公告)号：CN113490997B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202080009819.8

申请日：2020-02-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 辛格·特金德 ,  苏克图·阿伦·帕里克 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  M·A·斯托尔菲 ,  乔斯林甘·罗摩林甘 ,  曹勇 ,  阎俐凡 ,  志一·郎 ,  和勇·大卫·黄

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311

Abstract: 本文提供了用于形成包含硬掩模层的膜堆叠并蚀刻此硬掩模层以在膜堆叠中形成特征的方法。于此所述的方法通过在膜堆叠中形成的适当的轮廓管理方案来促进特征的轮廓和尺寸控制。在一个或多个实施方式中，一种用于蚀刻硬掩模层的方法包括以下步骤：在基板上形成硬掩模层，其中硬掩模层包含含金属材料，所述含金属材料包括具有原子数大于28的金属元素；向基板供应蚀刻气体混合物；和蚀刻由光刻胶层暴露的硬掩模层。

公开(公告)号：CN113490997A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202080009819.8

申请日：2020-02-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 辛格·特金德 ,  苏克图·阿伦·帕里克 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  M·A·斯托尔菲 ,  乔斯林甘·罗摩林甘 ,  曹勇 ,  阎俐凡 ,  志一·郎 ,  和勇·大卫·黄

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311

Abstract: 本文提供了用于形成包含硬掩模层的膜堆叠并蚀刻此硬掩模层以在膜堆叠中形成特征的方法。于此所述的方法通过在膜堆叠中形成的适当的轮廓管理方案来促进特征的轮廓和尺寸控制。在一个或多个实施方式中，一种用于蚀刻硬掩模层的方法包括以下步骤：在基板上形成硬掩模层，其中硬掩模层包含含金属材料，所述含金属材料包括具有原子数大于28的金属元素；向基板供应蚀刻气体混合物；和蚀刻由光刻胶层暴露的硬掩模层。