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公开(公告)号:CN113490997B
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202080009819.8
申请日:2020-02-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 本文提供了用于形成包含硬掩模层的膜堆叠并蚀刻此硬掩模层以在膜堆叠中形成特征的方法。于此所述的方法通过在膜堆叠中形成的适当的轮廓管理方案来促进特征的轮廓和尺寸控制。在一个或多个实施方式中,一种用于蚀刻硬掩模层的方法包括以下步骤:在基板上形成硬掩模层,其中硬掩模层包含含金属材料,所述含金属材料包括具有原子数大于28的金属元素;向基板供应蚀刻气体混合物;和蚀刻由光刻胶层暴露的硬掩模层。
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公开(公告)号:CN114223050A
公开(公告)日:2022-03-22
申请号:CN202080055591.6
申请日:2020-06-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , G03F7/115
Abstract: 本公开内容的多个实施方式一般涉及用作极紫外(EUV)平板印刷术中的掩模的多层堆叠物和用于形成多层堆叠物的方法。在一个实施方式中,方法包括以下步骤:在膜堆叠物之上形成碳层,通过物理气相沉积(PVD)工艺在碳层上形成富金属氧化物层,在富金属氧化物层上形成金属氧化物光刻胶层,和图案化金属氧化物光刻胶层。金属氧化物光刻胶层不同于富金属氧化物层,且通过与PVD工艺不同的工艺形成金属氧化物光刻胶层。通过PVD工艺形成的富金属氧化物层改善了金属氧化物光刻胶层的黏附力,并在EUV平板印刷期间增加次级电子,从而导致EUV剂量能量减少。
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公开(公告)号:CN113490997A
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202080009819.8
申请日:2020-02-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 本文提供了用于形成包含硬掩模层的膜堆叠并蚀刻此硬掩模层以在膜堆叠中形成特征的方法。于此所述的方法通过在膜堆叠中形成的适当的轮廓管理方案来促进特征的轮廓和尺寸控制。在一个或多个实施方式中,一种用于蚀刻硬掩模层的方法包括以下步骤:在基板上形成硬掩模层,其中硬掩模层包含含金属材料,所述含金属材料包括具有原子数大于28的金属元素;向基板供应蚀刻气体混合物;和蚀刻由光刻胶层暴露的硬掩模层。
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