公开(公告)号：CN113614880A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080021414.6

申请日：2020-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨兹顺 ,  程睿 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  黄祖滨 ,  迪瓦卡尔·N·科德拉雅 ,  米纳基·古普塔 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉 ,  林永振 ,  押尾英隆 ,  李超 ,  李吉恩

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开内容提供了利用具有良好轮廓控制和特征转移完整性的多重图案化处理来形成纳米结构。在一个实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上形成心轴层；在心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；和图案化间隔层。在另一实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上的心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；使用第一气体混合物选择性地移除间隔层的一部分；和使用不同于第一气体混合物的第二气体混合物选择性地移除心轴层。