公开(公告)号：CN120051848A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202380075649.7

申请日：2023-08-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  黄志宇 ,  郎纪一 ,  黃和湧

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开的实施方式大致上涉及用于增强碳硬掩模以具有改善的蚀刻选择性及轮廓控制的方法。在一些实施方式中，提供一种加工碳硬掩模层的方法，所述方法包括：将工件定位在处理腔室的处理区域内，其中工件具有设置在底层上或上方的碳硬掩模层；以及通过将工件暴露于顺序渗透合成（SIS）处理来加工碳硬掩模层，以产生比碳硬掩模层更致密的氧化铝碳混合硬掩模。SIS处理包括利用铝前体暴露及渗透碳硬掩模层、净化以移除气态残余物、利用氧化剂暴露及渗透碳硬掩模层，以产生设置在碳硬掩模层的内表面上的氧化铝涂覆、及净化处理区域以移除气态残留物。

公开(公告)号：CN116438330A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180075006.3

申请日：2021-12-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  郎纪一 ,  黃和湧

IPC: C23C16/455

Abstract: 描述了在基板上沉积含硼膜的方法。将基板暴露于硼前驱物和等离子体，以形成含硼膜(如，元素硼、氧化硼、碳化硼、硅化硼、氮化硼)。暴露可为顺序的或同时的。含硼膜选择性地沉积在一种材料(如，SiN或Si)上，而不是另一种材料(如，氧化硅)上。

公开(公告)号：CN116457919A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180077490.3

申请日：2021-11-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  郎纪一 ,  黃和湧

IPC: H01L21/311

Abstract: 提供了一种使用锡基材料作为心轴、硬掩模及衬垫材料来图案化半导体材料的方法及设备。本揭示案的一或更多个实施方式在多种图案化应用期间使用氧化锡及/或碳化锡材料作为硬掩模材料、心轴材料及/或衬垫材料。氧化锡或碳化锡材料相对于其他高选择性材料如金属氧化物(例如TiO2、ZrO2、HfO2、Al2O3)更容易剥离，以避免影响关键尺寸及产生缺陷。此外，氧化锡及碳化锡具有低折射率、低k值，并且在663纳米以下是透明的以用于光刻覆盖。