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公开(公告)号：CN118414691A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280083467.X
申请日：2022-11-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 提供一种在半导体基板之上形成特征的方法。所述方法包括以连续的流率在基板表面之上供应气体混合物。第一射频(RF)信号被输送至电极，同时以连续的流率供应气体混合物，以在基板表面之上沉积聚合物层。基板表面包括含氧化物部分及含氮化物部分。第二RF信号被输送至电极，同时以连续的流率连续地供应气体混合物，以相对于含氮化物部分选择性地蚀刻含氧化物部分。
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