公开(公告)号：CN117529798A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202280037098.0

申请日：2022-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  郎纪一 ,  黄和湧

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及用于蚀刻材料的方法。在一或多个实施方式中，所述方法包括：将基板定位于工艺腔室的工艺容积中，其中所述基板包括设置于所述基板上的金属钌层；和将所述金属钌层暴露于氧等离子体，以在所述金属钌层上产生固态氧化钌和在工艺容积内产生气态氧化钌。所述方法还包括将固态氧化钌暴露于二次等离子体以将固态氧化钌转化为金属钌或氯氧化钌化合物。金属钌在金属钌层上呈固体状态，或者氯氧化钌化合物在工艺容积内呈气体状态。

公开(公告)号：CN120019474A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380074858.X

申请日：2023-08-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  黄志宇 ,  郎纪一 ,  黄和湧

IPC: H01L21/033 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开的实施方式大致上涉及用于增强碳硬掩模以具有改善的蚀刻选择性及轮廓控制的方法。在一些实施方式中，提供一种加工碳硬掩模层的方法，所述方法包括：将工件定位在处理腔室的处理区域内，其中工件具有设置在底层上或上方的碳硬掩模层；以及通过将工件暴露于顺序渗透合成（SIS）处理来加工碳硬掩模层，以产生比碳硬掩模层更致密的氧化铝碳混合硬掩模。SIS处理包括利用铝前体暴露及渗透碳硬掩模层、净化以移除气态残余物、利用氧化剂暴露及渗透碳硬掩模层，以产生设置在碳硬掩模层的内表面上的氧化铝涂覆、及净化处理区域以移除气态残留物。

公开(公告)号：CN110265297A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910183568.4

申请日：2019-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  周清军 ,  张郢 ,  黄和湧

IPC: H01L21/308

Abstract: 描述形成并处理半导体装置的方法，所述方法利用氧化铝相对于氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化锆的选择性蚀刻。某些实施方式涉及用于金属栅极应用的自对准触点的形成。