公开(公告)号：CN110400747A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910331618.9

申请日：2019-04-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 鲍新宇 ,  张郢 ,  周清军 ,  林永振

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了用于形成半导体器件(诸如FinFET)的方法。在一个实施方式中，一种鳍片结构处理方法包括：去除形成在基板上的多个鳍片中的第一鳍片的一部分以暴露所述第一鳍片的剩余部分的表面，其中所述鳍片与形成在所述基板上的介电材料结构相邻；执行沉积操作以通过在基板处理环境中沉积第III-V族半导体材料来在第一鳍片的剩余部分的表面上形成特征；以及执行蚀刻操作以用蚀刻气体来蚀刻特征，以在相邻的介电材料结构之间形成多个开口，其中所述蚀刻操作在与沉积操作相同的腔室中执行。

公开(公告)号：CN110265297A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910183568.4

申请日：2019-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  周清军 ,  张郢 ,  黄和湧

IPC: H01L21/308

Abstract: 描述形成并处理半导体装置的方法，所述方法利用氧化铝相对于氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化锆的选择性蚀刻。某些实施方式涉及用于金属栅极应用的自对准触点的形成。

公开(公告)号：CN108352317A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201780003940.8

申请日：2017-01-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张郢 ,  周清军 ,  乔纳森·日格胡尔·金姆

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67207

Abstract: 本文所描述的实施方式一般涉及基板处理系统，诸如蚀刻处理系统。在一个实施方式中，本文公开了一种基板处理系统。基板处理系统包含移送腔室和耦接至移送腔室的多个处理腔室。多个处理腔室包含第一处理腔室、第二处理腔室和第三处理腔室。第一处理腔室经构造以定向修改形成在基板上的膜堆叠的表面。第二处理腔室经构造以将蚀刻剂沉积至膜堆叠的表面上。第三处理腔室经构造以将膜堆叠暴露至高温升华工艺。