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公开(公告)号：CN110419110B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201880017658.X
申请日：2018-01-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 张郢 , 舒伯特·S·楚 , 鲍新宇 , 瑞加娜.杰曼尼.弗雷德 , 华·春
IPC: H01L29/66 , H01L21/768 , H01L29/78
Abstract: 提供用于形成诸如FinFET的半导体器件的方法。在一个实施方式中，用于形成FinFET器件的方法包含移除多个鳍片中的每个鳍片的一部分，且每个鳍片的剩余部分从介电表面凹陷。方法进一步包含在每个鳍片的剩余部分上形成特征，利用介电材料填充在相邻特征之间形成的间隙，移除特征，和在每个鳍片的剩余部分上形成填充材料。因为特征的形状受控制，所以可控制填充材料的形状。
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公开(公告)号：CN117650050A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311473192.3
申请日：2018-01-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/768
Abstract: 提供用于形成诸如FinFET的半导体器件的方法。在一个实施方式中，用于形成FinFET器件的方法包含移除多个鳍片中的每个鳍片的一部分，且每个鳍片的剩余部分从介电表面凹陷。方法进一步包含在每个鳍片的剩余部分上形成特征，利用介电材料填充在相邻特征之间形成的间隙，移除特征，和在每个鳍片的剩余部分上形成填充材料。因为特征的形状受控制，所以可控制填充材料的形状。
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公开(公告)号：CN108475695B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201680072836.X
申请日：2016-12-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/02 , H01L29/41 , H01L21/768 , H01L29/423
Abstract: 本公开内容提供用于在半导体芯片的环绕式水平栅极(hGAA)结构中以期望的材料形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法。在一个实例中，在基板上形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法包含：在基板上执行横向蚀刻工艺，该基板上设置有多材料层，其中该多材料层包含重复成对的第一层及第二层，该第一层及该第二层各自具有分别在该多材料层中暴露的第一侧壁及第二侧壁，其中横向蚀刻工艺主要蚀刻该第二层并蚀刻穿过该第二层而在该第二层中形成凹部；以介电质材料填充该凹部；和从该凹部移除过度填充的介电质层。
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公开(公告)号：CN107078060B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201580059711.9
申请日：2015-07-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 在此提供用于形成FinFET结构的方法与设备。本文所述的选择性蚀刻与沉积工艺可提供于FinFET的制造而无需利用多重图案化工艺。本文所述的实施例也提供鳍片材料的制造方法，该方法用于从硅转变成三五族材料，同时维持所用的各种材料的可接受的晶格取向。进一步的实施例提供蚀刻设备，该蚀刻设备可用于执行本文所述的方法。
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公开(公告)号：CN111095525A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059509.X
申请日：2018-09-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 可执行处理方法以暴露半导体基板上的接触区域。所述方法可包括以下步骤：选择性地使半导体基板上的第一金属相对于暴露的第一电介质材料凹陷。所述方法可包括在凹陷的第一金属和暴露的第一电介质材料上方形成衬垫。所述方法可包括在衬垫上方形成第二电介质材料。所述方法可包括在第二电介质材料的选定区域上方形成硬掩模。所述方法还可包括选择性地去除第二电介质材料以暴露覆盖在凹陷的第一金属上面的衬垫的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110419110A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201880017658.X
申请日：2018-01-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 张郢 , 舒伯特·S·楚 , 鲍新宇 , 瑞加娜.杰曼尼.弗雷德 , 华·春
IPC: H01L29/66 , H01L21/768 , H01L29/78
Abstract: 提供用于形成诸如FinFET的半导体器件的方法。在一个实施方式中，用于形成FinFET器件的方法包含移除多个鳍片中的每个鳍片的一部分，且每个鳍片的剩余部分从介电表面凹陷。方法进一步包含在每个鳍片的剩余部分上形成特征，利用介电材料填充在相邻特征之间形成的间隙，移除特征，和在每个鳍片的剩余部分上形成填充材料。因为特征的形状受控制，所以可控制填充材料的形状。
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公开(公告)号：CN107078060A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580059711.9
申请日：2015-07-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823431 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/02587 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L21/31116 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/1054 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 在此提供用于形成FinFET结构的方法与设备。本文所述的选择性蚀刻与沉积工艺可提供于FinFET的制造而无需利用多重图案化工艺。本文所述的实施例也提供鳍片材料的制造方法，该方法用于从硅转变成三五族材料，同时维持所用的各种材料的可接受的晶格取向。进一步的实施例提供蚀刻设备，该蚀刻设备可用于执行本文所述的方法。
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公开(公告)号：CN110400747A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910331618.9
申请日：2019-04-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336
Abstract: 提供了用于形成半导体器件(诸如FinFET)的方法。在一个实施方式中，一种鳍片结构处理方法包括：去除形成在基板上的多个鳍片中的第一鳍片的一部分以暴露所述第一鳍片的剩余部分的表面，其中所述鳍片与形成在所述基板上的介电材料结构相邻；执行沉积操作以通过在基板处理环境中沉积第III-V族半导体材料来在第一鳍片的剩余部分的表面上形成特征；以及执行蚀刻操作以用蚀刻气体来蚀刻特征，以在相邻的介电材料结构之间形成多个开口，其中所述蚀刻操作在与沉积操作相同的腔室中执行。
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公开(公告)号：CN108475695A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680072836.X
申请日：2016-12-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/02 , H01L29/41 , H01L21/768 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/0673 , H01L21/02115 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/764 , H01L29/0649 , H01L29/0669 , H01L29/42392 , H01L29/66742 , H01L29/66795
Abstract: 本公开内容提供用于在半导体芯片的环绕式水平栅极(hGAA)结构中以期望的材料形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法。在一个实例中，在基板上形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法包含：在基板上执行横向蚀刻工艺，该基板上设置有多材料层，其中该多材料层包含重复成对的第一层及第二层，该第一层及该第二层各自具有分别在该多材料层中暴露的第一侧壁及第二侧壁，其中横向蚀刻工艺主要蚀刻该第二层并蚀刻穿过该第二层而在该第二层中形成凹部；以介电质材料填充该凹部；和从该凹部移除过度填充的介电质层。
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