公开(公告)号：CN108475695A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680072836.X

申请日：2016-12-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邴希·孙·伍德 ,  迈克尔·G·沃德 ,  孙诗雨 ,  迈克尔·丘吉克 ,  纳姆·孙·基姆 ,  仲华 ,  黄奕樵 ,  殷正操 ,  张郢 ,  池农·倪 ,  林·董 ,  冬青·杨

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/41 ,  H01L21/768 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/0673 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795

Abstract: 本公开内容提供用于在半导体芯片的环绕式水平栅极(hGAA)结构中以期望的材料形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法。在一个实例中，在基板上形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法包含：在基板上执行横向蚀刻工艺，该基板上设置有多材料层，其中该多材料层包含重复成对的第一层及第二层，该第一层及该第二层各自具有分别在该多材料层中暴露的第一侧壁及第二侧壁，其中横向蚀刻工艺主要蚀刻该第二层并蚀刻穿过该第二层而在该第二层中形成凹部；以介电质材料填充该凹部；和从该凹部移除过度填充的介电质层。

公开(公告)号：CN108475695B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201680072836.X

申请日：2016-12-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邴希·孙·伍德 ,  迈克尔·G·沃德 ,  孙诗雨 ,  迈克尔·丘吉克 ,  纳姆·孙·基姆 ,  仲华 ,  黄奕樵 ,  殷正操 ,  张郢 ,  池农·倪 ,  林·董 ,  冬青·杨

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/41 ,  H01L21/768 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开内容提供用于在半导体芯片的环绕式水平栅极(hGAA)结构中以期望的材料形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法。在一个实例中，在基板上形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法包含：在基板上执行横向蚀刻工艺，该基板上设置有多材料层，其中该多材料层包含重复成对的第一层及第二层，该第一层及该第二层各自具有分别在该多材料层中暴露的第一侧壁及第二侧壁，其中横向蚀刻工艺主要蚀刻该第二层并蚀刻穿过该第二层而在该第二层中形成凹部；以介电质材料填充该凹部；和从该凹部移除过度填充的介电质层。