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公开(公告)号：CN112136204B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980031899.4
申请日：2019-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311
Abstract: 提供用于在选择性沉积工艺之后去除残留物的方法。在一个实施方式中，所述方法包括执行选择性沉积工艺以在基板的第一位置处形成含金属的介电材料，以及执行残留物去除工艺以从所述基板的第二位置去除残留物。
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公开(公告)号：CN110349838B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910276157.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 任·何 , 马克西米利安·克莱蒙斯 , 石美仪 , 于敏锐 , 本切基·梅巴基 , 梅裕尔·B·奈克 , 殷正操 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文中描述用于使用物理气相沉积(PVD)工艺和退火工艺中的一种或物理气相沉积工艺和退火工艺的组合形成低电阻率的金属硅化物互连的方法。在一个实施方式中，一种形成多个导线互连的方法包含使溅射气体流入处理腔室的处理空间中，向设置在所述处理空间中的靶施加功率，在靠近所述靶的溅射表面的区域中形成等离子体，和在基板的表面上沉积金属和硅层。本文中，所述第一靶包括金属硅合金，并且所述第一靶的溅射表面相对于基板的表面成在约10°与约50°之间的角度。
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公开(公告)号：CN107735851A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680031800.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
CPC classification number: H01L21/311 , H01L21/0337
Abstract: 本文的实施方式提供在多重图案化工艺中用于在间隔物层上进行具有良好轮廓控制的沉积和图案化工艺的设备和方法。在一个实施方式中，一种在多重图案化工艺期间沉积和图案化间隔物层的方法包括以下步骤：在设在基板上的图案化结构的外表面上保形地形成间隔物层，其中所述图案化结构间界定有第一组开口；选择性地处理形成在基板上的间隔物层的第一部分，而不处理间隔物层的第二部分；以及选择性地移除间隔物层经处理的第一部分。
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公开(公告)号：CN109417028B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201780039924.4
申请日：2017-06-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 半导体系统及方法可包括执行选择性蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：使半导体基板上的材料改性。该半导体基板可在该半导体基板的表面上具有至少两种暴露的材料。所述方法可包括以下步骤：在容纳该半导体基板的处理腔室內形成低功率等离子体。该低功率等离子体可为射频(“RF”)等离子体，该射频等离子体在实施方式中可至少部分地由RF偏压电源所形成，该RF偏压电源在约10W及约100W之间运作。该RF偏压电源亦可用低于约5,000Hz的一频率发出脉冲。这些方法亦可包括以下步骤：相较于该半导体基板的该表面上的所述至少两种暴露的材料中的第二种材料以更高的蚀刻速率蚀刻该半导体基板的该表面上的所述至少两种暴露的材料中的一种暴露的材料。
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公开(公告)号：CN112136204A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980031899.4
申请日：2019-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311
Abstract: 提供用于在选择性沉积工艺之后去除残留物的方法。在一个实施方式中，所述方法包括执行选择性沉积工艺以在基板的第一位置处形成含金属的介电材料，以及执行残留物去除工艺以从所述基板的第二位置去除残留物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109075067A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027603.2
申请日：2017-06-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 杨扬 , 露西·陈 , 杰·周 , 卡提克·雷马斯瓦米 , 肯尼思·S·柯林斯 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 殷正操 , 刘菁菁 , 史蒂文·莱恩 , 贡萨洛·蒙罗伊 , 詹姆斯·D·卡达希
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 提供用于形成具有期望的膜密度、机械强度及光学膜性质的类金刚石碳层的方法。在一个实施方式中，形成类金刚石碳层的方法包括下列步骤：在设置于处理腔室中的基板的表面上方产生电子束等离子体，以及在该基板的该表面上形成类金刚石碳层。所述类金刚石碳层由电子束等离子体工艺形成，其中类金刚石碳层作为半导体应用中的蚀刻工艺中的硬模层。所述类金刚石碳层可通过以下步骤形成：轰击设置在处理腔室中的含碳电极，以在设置于处理腔室中的基板的表面上方的含碳气体混合物中产生次级电子束，和在基板的表面上由该气体混合物的元素形成类金刚石碳层。
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公开(公告)号：CN106796883A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580047628.X
申请日：2015-08-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/314 , H01L21/311 , H01L27/115
Abstract: 本文公开了在形成半导体器件中使用的纳米结晶金刚石层以及用于形成所述纳米结晶金刚石层的方法。所述器件可包括：基板，所述基板具有处理表面与支撑表面；器件层，所述器件层形成于所述处理表面上；以及纳米结晶金刚石层，所述纳米结晶金刚石层形成于所述处理层上，所述纳米结晶金刚石层具有介于2nm至5nm之间的平均晶粒尺寸。所述方法可包括：将基板定位于处理腔室中，于处理表面上沉积器件层；于所述器件层上沉积纳米结晶金刚石层，所述纳米结晶金刚石层具有介于2nm至5nm之间的平均晶粒尺寸；图案化及蚀刻所述纳米结晶金刚石层；蚀刻所述器件层以形成特征；以及从所述器件层的表面灰化所述纳米结晶金刚石层。
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公开(公告)号：CN110892504B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880045332.8
申请日：2018-07-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本技术的实施方式可包括形成半导体层的堆叠结构的方法。所述方法可包括在基板上沉积第一氧化硅层。所述方法还可包括在第一氧化硅层上沉积第一硅层。所述方法可进一步包括在第一硅层上沉积第一氮化硅层。沉积第一氮化硅层或应力层可包括减小在第一硅层、第一氧化硅层或基板中的至少一个中的应力。另外，所述方法可包括在第一氮化硅层上沉积第二硅层。操作可形成半导体层的堆叠结构，其中所述堆叠结构包括第一氧化硅层、第一硅层、第一氮化硅层和第二硅层。
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公开(公告)号：CN109642312B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201780050740.8
申请日：2017-07-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 刘菁菁 , 华忠强 , 阿道夫·米勒·艾伦 , 迈克尔·W·斯托威尔 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 殷正操 , 巴尔加夫·西特拉 , 维加斯拉夫·巴巴扬 , 安德烈·哈莱比卡
Abstract: 一种沉积非晶碳膜包括至少95％碳。存在于此非晶碳膜中的sp3碳‑碳键的百分比超过30％，且此非晶碳膜的氢含量小于5％。一种于工件上沉积非晶碳的方法包括在处理腔室内定位此工件和将磁控管组件定位邻接于此处理腔室。此磁控管组件投射磁场进入此处理腔室。此方法进一步包括提供碳靶材，使得此磁场延伸通过此碳靶材朝向此工件。此方法进一步包括提供源气体至此处理腔室，和提供DC功率脉冲至在此处理腔室内由此源气体形成的等离子体。此DC功率脉冲被以40微秒或更小的脉冲供应，以至少4kHz的频率重复。
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公开(公告)号：CN111066120A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880057395.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于处理工件的等离子体反应器，包括腔室，具有介电窗；工件支撑件，用以在腔室中保持工件；旋转耦合器，包含配置成耦合至微波源的固定台及具有旋转轴的可旋转台；微波天线，并覆盖腔室的介电窗；旋转致动器，用以旋转微波天线；和处理气体分配器，包括环绕工件支撑件的气体分配环。微波天线包括耦合至可旋转台的至少一个导管。气体分配环包括将圆形导管从腔室分开的圆柱形腔室衬垫，及径向延伸穿过衬垫的多个孔，以将导管连接至腔室。
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