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公开(公告)号：CN112424909B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980046439.9
申请日：2019-07-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本文揭示了在基板上形成硅化镍材料的方法。所述方法包括在约15℃至约27℃的温度下在基板顶部沉积第一硅化镍种晶层，在400℃或更低，诸如超过350℃的温度下，使第一硅化镍种晶层退火；以及在约15℃至约27℃的温度下，在第一硅化镍种晶层上沉积第二硅化镍层，以形成硅化镍材料。
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公开(公告)号：CN110349838A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910276157.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 任·何 , 马克西米利安·克莱蒙斯 , 石美仪 , 于敏锐 , 本切基·梅巴基 , 梅裕尔·B·奈克 , 殷正操 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文中描述用于使用物理气相沉积(PVD)工艺和退火工艺中的一种或物理气相沉积工艺和退火工艺的组合形成低电阻率的金属硅化物互连的方法。在一个实施方式中，一种形成多个导线互连的方法包含使溅射气体流入处理腔室的处理空间中，向设置在所述处理空间中的靶施加功率，在靠近所述靶的溅射表面的区域中形成等离子体，和在基板的表面上沉积金属和硅层。本文中，所述第一靶包括金属硅合金，并且所述第一靶的溅射表面相对于基板的表面成在约10°与约50°之间的角度。
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公开(公告)号：CN107873107A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201680032205.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532 , C23C28/00 , C23C14/06 , C23C16/40
CPC classification number: H01L23/53266 , C23C14/0641 , C23C16/401 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , H01L21/76838 , H01L21/28556 , H01L21/2855 , H01L21/28568 , H01L21/76841 , H01L21/76886
Abstract: 本公开内容提供形成于基板上的膜堆叠结构和在基板上形成膜堆叠结构的方法。在一个实施方式中，在基板上形成膜堆叠结构的方法包括：于形成在基板上的氧化物层上沉积第一粘合层和在第一粘合层上沉积金属层，其中第一粘合层和金属层形成应力中和结构。
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公开(公告)号：CN110349838B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910276157.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 任·何 , 马克西米利安·克莱蒙斯 , 石美仪 , 于敏锐 , 本切基·梅巴基 , 梅裕尔·B·奈克 , 殷正操 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文中描述用于使用物理气相沉积(PVD)工艺和退火工艺中的一种或物理气相沉积工艺和退火工艺的组合形成低电阻率的金属硅化物互连的方法。在一个实施方式中，一种形成多个导线互连的方法包含使溅射气体流入处理腔室的处理空间中，向设置在所述处理空间中的靶施加功率，在靠近所述靶的溅射表面的区域中形成等离子体，和在基板的表面上沉积金属和硅层。本文中，所述第一靶包括金属硅合金，并且所述第一靶的溅射表面相对于基板的表面成在约10°与约50°之间的角度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107873107B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201680032205.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532 , C23C28/00 , C23C14/06 , C23C16/40
Abstract: 本公开内容提供形成于基板上的膜堆叠结构和在基板上形成膜堆叠结构的方法。在一个实施方式中，在基板上形成膜堆叠结构的方法包括：于形成在基板上的氧化物层上沉积第一粘合层和在第一粘合层上沉积金属层，其中第一粘合层和金属层形成应力中和结构。
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公开(公告)号：CN110709964A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880036646.1
申请日：2018-06-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本文描述在形成互连中使用的用于沉积低电阻率硅化镍层的方法和使用所述方法形成的电子装置。在一个实施方式中，一种用于沉积层的方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上，所述处理腔室具有设置在所述处理腔室中的镍靶材和硅靶材，所述镍靶材和硅靶材的面向基板部分各自具有从基板的面向靶材表面的在约10度与约50度之间的角度；使气体流动到处理腔室中；向镍靶材施加射频功率并且同时向硅靶材施加直流功率；分别从硅靶材和镍靶材同时地溅射硅和镍；并且在基板上沉积NixSi1-x层，其中x在约0.01与约0.99之间。
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公开(公告)号：CN116864485A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310657384.3
申请日：2018-06-12
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文描述在形成互连中使用的用于沉积低电阻率硅化镍层的方法和使用所述方法形成的电子装置。在一个实施方式中，一种用于沉积层的方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上，所述处理腔室具有设置在所述处理腔室中的镍靶材和硅靶材，所述镍靶材和硅靶材的面向基板部分各自具有从基板的面向靶材表面的在约10度与约50度之间的角度；使气体流动到处理腔室中；向镍靶材施加射频功率并且同时向硅靶材施加直流功率；分别从硅靶材和镍靶材同时地溅射硅和镍；并且在基板上沉积NixSi1‑x层，其中x在约0.01与约0.99之间。
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公开(公告)号：CN110709964B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201880036646.1
申请日：2018-06-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本文描述在形成互连中使用的用于沉积低电阻率硅化镍层的方法和使用所述方法形成的电子装置。在一个实施方式中，一种用于沉积层的方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上，所述处理腔室具有设置在所述处理腔室中的镍靶材和硅靶材，所述镍靶材和硅靶材的面向基板部分各自具有从基板的面向靶材表面的在约10度与约50度之间的角度；使气体流动到处理腔室中；向镍靶材施加射频功率并且同时向硅靶材施加直流功率；分别从硅靶材和镍靶材同时地溅射硅和镍；并且在基板上沉积NixSi1‑x层，其中x在约0.01与约0.99之间。
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公开(公告)号：CN112424909A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980046439.9
申请日：2019-07-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本文揭示了在基板上形成硅化镍材料的方法。所述方法包括在约15℃至约27℃的温度下在基板顶部沉积第一硅化镍种晶层，在400℃或更低，诸如超过350℃的温度下，使第一硅化镍种晶层退火；以及在约15℃至约27℃的温度下，在第一硅化镍种晶层上沉积第二硅化镍层，以形成硅化镍材料。
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