公开(公告)号：CN109417028B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201780039924.4

申请日：2017-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴尔加夫·西特拉 ,  殷正操 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  维亚斯拉夫·巴比扬 ,  迈克尔·斯托厄尔

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 半导体系统及方法可包括执行选择性蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：使半导体基板上的材料改性。该半导体基板可在该半导体基板的表面上具有至少两种暴露的材料。所述方法可包括以下步骤：在容纳该半导体基板的处理腔室內形成低功率等离子体。该低功率等离子体可为射频(“RF”)等离子体，该射频等离子体在实施方式中可至少部分地由RF偏压电源所形成，该RF偏压电源在约10W及约100W之间运作。该RF偏压电源亦可用低于约5,000Hz的一频率发出脉冲。这些方法亦可包括以下步骤：相较于该半导体基板的该表面上的所述至少两种暴露的材料中的第二种材料以更高的蚀刻速率蚀刻该半导体基板的该表面上的所述至少两种暴露的材料中的一种暴露的材料。

公开(公告)号：CN109417028A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780039924.4

申请日：2017-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴尔加夫·西特拉 ,  殷正操 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  维亚斯拉夫·巴比扬 ,  迈克尔·斯托厄尔

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 半导体系统及方法可包括执行选择性蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：使半导体基板上的材料改性。该半导体基板可在该半导体基板的表面上具有至少两种暴露的材料。所述方法可包括以下步骤：在容纳该半导体基板的处理腔室內形成低功率等离子体。该低功率等离子体可为射频(“RF”)等离子体，该射频等离子体在实施方式中可至少部分地由RF偏压电源所形成，该RF偏压电源在约10W及约100W之间运作。该RF偏压电源亦可用低于约5,000Hz的一频率发出脉冲。这些方法亦可包括以下步骤：相较于该半导体基板的该表面上的所述至少两种暴露的材料中的第二种材料以更高的蚀刻速率蚀刻该半导体基板的该表面上的所述至少两种暴露的材料中的一种暴露的材料。