公开(公告)号：CN110892504B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201880045332.8

申请日：2018-07-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 缪丽妍 ,  殷正操 ,  韩新海 ,  林龙

IPC: H01L21/02

Abstract: 本技术的实施方式可包括形成半导体层的堆叠结构的方法。所述方法可包括在基板上沉积第一氧化硅层。所述方法还可包括在第一氧化硅层上沉积第一硅层。所述方法可进一步包括在第一硅层上沉积第一氮化硅层。沉积第一氮化硅层或应力层可包括减小在第一硅层、第一氧化硅层或基板中的至少一个中的应力。另外，所述方法可包括在第一氮化硅层上沉积第二硅层。操作可形成半导体层的堆叠结构，其中所述堆叠结构包括第一氧化硅层、第一硅层、第一氮化硅层和第二硅层。

公开(公告)号：CN117238918A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311224892.9

申请日：2018-07-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 缪丽妍 ,  殷正操 ,  韩新海 ,  林龙

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本技术的实施方式可包括形成半导体层的堆叠结构的方法。所述方法可包括在基板上沉积第一氧化硅层。所述方法还可包括在第一氧化硅层上沉积第一硅层。所述方法可进一步包括在第一硅层上沉积第一氮化硅层。沉积第一氮化硅层或应力层可包括减小在第一硅层、第一氧化硅层或基板中的至少一个中的应力。另外，所述方法可包括在第一氮化硅层上沉积第二硅层。操作可形成半导体层的堆叠结构，其中所述堆叠结构包括第一氧化硅层、第一硅层、第一氮化硅层和第二硅层。

公开(公告)号：CN110892504A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880045332.8

申请日：2018-07-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 缪丽妍 ,  殷正操 ,  韩新海 ,  林龙

IPC: H01L21/02

Abstract: 本技术的实施方式可包括形成半导体层的堆叠结构的方法。所述方法可包括在基板上沉积第一氧化硅层。所述方法还可包括在第一氧化硅层上沉积第一硅层。所述方法可进一步包括在第一硅层上沉积第一氮化硅层。沉积第一氮化硅层或应力层可包括减小在第一硅层、第一氧化硅层或基板中的至少一个中的应力。另外，所述方法可包括在第一氮化硅层上沉积第二硅层。操作可形成半导体层的堆叠结构，其中所述堆叠结构包括第一氧化硅层、第一硅层、第一氮化硅层和第二硅层。