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公开(公告)号：CN109496344A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201780046500.0
申请日：2017-07-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·W·斯托威尔 , 维加斯拉夫·巴巴扬 , 刘晶晶 , 华忠强
Abstract: 此处所呈现的实施方式涉及用于基板处理系统的脉冲控制系统。脉冲控制系统包括功率源、系统控制器和脉冲形状控制器。脉冲形状控制器耦接至功率源且与系统控制器连通。脉冲形状控制器包括第一切换组件和第二切换组件。第一切换组件包括具有第一端和第二端的第一切换器。第一切换器可配置于断开状态与导通状态之间。第二切换组件包括具有第一端和第二端的第二切换器。第一切换器在导通状态中且第二切换器在断开状态中。在导通状态中的第一切换器配置成允许将由功率源所供应的脉冲传送通过脉冲形状控制器。
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公开(公告)号：CN109642312A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780050740.8
申请日：2017-07-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 刘菁菁 , 华忠强 , 阿道夫·米勒·艾伦 , 迈克尔·W·斯托威尔 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 殷正操 , 巴尔加夫·西特拉 , 维加斯拉夫·巴巴扬 , 安德烈·哈莱比卡
Abstract: 一种沉积非晶碳膜包括至少95％碳。存在于此非晶碳膜中的sp3碳-碳键的百分比超过30％，且此非晶碳膜的氢含量小于5％。一种于工件上沉积非晶碳的方法包括在处理腔室内定位此工件和将磁控管组件定位邻接于此处理腔室。此磁控管组件投射磁场进入此处理腔室。此方法进一步包括提供碳靶材，使得此磁场延伸通过此碳靶材朝向此工件。此方法进一步包括提供源气体至此处理腔室，和提供DC功率脉冲至在此处理腔室内由此源气体形成的等离子体。此DC功率脉冲被以40微秒或更小的脉冲供应，以至少4kHz的频率重复。
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公开(公告)号：CN109642312B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201780050740.8
申请日：2017-07-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 刘菁菁 , 华忠强 , 阿道夫·米勒·艾伦 , 迈克尔·W·斯托威尔 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 殷正操 , 巴尔加夫·西特拉 , 维加斯拉夫·巴巴扬 , 安德烈·哈莱比卡
Abstract: 一种沉积非晶碳膜包括至少95％碳。存在于此非晶碳膜中的sp3碳‑碳键的百分比超过30％，且此非晶碳膜的氢含量小于5％。一种于工件上沉积非晶碳的方法包括在处理腔室内定位此工件和将磁控管组件定位邻接于此处理腔室。此磁控管组件投射磁场进入此处理腔室。此方法进一步包括提供碳靶材，使得此磁场延伸通过此碳靶材朝向此工件。此方法进一步包括提供源气体至此处理腔室，和提供DC功率脉冲至在此处理腔室内由此源气体形成的等离子体。此DC功率脉冲被以40微秒或更小的脉冲供应，以至少4kHz的频率重复。
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