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公开(公告)号：CN110225995A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201780084678.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 刘菁菁 , 卢多维克·戈代 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 陈咏梅 , 阿纳塔·K·苏比玛尼
Abstract: 本公开内容的实施方式提供具有原位离子注入能力的溅射腔室。在一个实施方式中，溅射腔室包含靶材、耦接至所述靶材的RF和DC电源、包含平坦基板接收表面的支撑件主体、耦接至支撑件主体的偏置功率源、耦接至偏置功率源的脉冲控制器和排放组件，其中所述脉冲控制器施加脉冲控制信号至偏置功率源，使得在常规脉冲模式或高频率脉冲模式中输送偏置功率，常规脉冲模式具有约100至200微秒的脉冲持续时间和约1Hz至200Hz的脉冲重复频率，而高频率脉冲模式具有约100微秒至300微秒的脉冲持续时间和约200Hz至约20KHz的脉冲重复频率，并且排放组件具有穿过处理腔室的底部形成的同心泵送口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106796883A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580047628.X
申请日：2015-08-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/314 , H01L21/311 , H01L27/115
Abstract: 本文公开了在形成半导体器件中使用的纳米结晶金刚石层以及用于形成所述纳米结晶金刚石层的方法。所述器件可包括：基板，所述基板具有处理表面与支撑表面；器件层，所述器件层形成于所述处理表面上；以及纳米结晶金刚石层，所述纳米结晶金刚石层形成于所述处理层上，所述纳米结晶金刚石层具有介于2nm至5nm之间的平均晶粒尺寸。所述方法可包括：将基板定位于处理腔室中，于处理表面上沉积器件层；于所述器件层上沉积纳米结晶金刚石层，所述纳米结晶金刚石层具有介于2nm至5nm之间的平均晶粒尺寸；图案化及蚀刻所述纳米结晶金刚石层；蚀刻所述器件层以形成特征；以及从所述器件层的表面灰化所述纳米结晶金刚石层。
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公开(公告)号：CN106796883B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201580047628.X
申请日：2015-08-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/314 , H01L21/311 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本文公开了在形成半导体器件中使用的纳米结晶金刚石层以及用于形成所述纳米结晶金刚石层的方法。所述器件可包括：基板，所述基板具有处理表面与支撑表面；器件层，所述器件层形成于所述处理表面上；以及纳米结晶金刚石层，所述纳米结晶金刚石层形成于所述处理层上，所述纳米结晶金刚石层具有介于2nm至5nm之间的平均晶粒尺寸。所述方法可包括：将基板定位于处理腔室中，于处理表面上沉积器件层；于所述器件层上沉积纳米结晶金刚石层，所述纳米结晶金刚石层具有介于2nm至5nm之间的平均晶粒尺寸；图案化及蚀刻所述纳米结晶金刚石层；蚀刻所述器件层以形成特征；以及从所述器件层的表面灰化所述纳米结晶金刚石层。
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公开(公告)号：CN106663609B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201580045005.9
申请日：2015-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 本文公开了用于沉积纳米晶金刚石层的方法。该方法可以包括以下步骤：输送溅镀气体到基板，该基板被定位在第一处理腔室的处理区域中，该第一处理腔室具有含碳溅镀靶材；输送能量脉冲到该溅镀气体，以产生溅镀等离子体，该溅镀等离子体具有溅镀持续时间，该能量脉冲具有介于1W/cm2和10W/cm2之间的平均功率及小于100μs并且大于30μs的脉冲宽度，该溅镀等离子体被磁场控制，该磁场小于300高斯；以及输送该溅镀等离子体到该溅镀靶材以形成离子化物种，该离子化物种在该基板上形成结晶含碳层。
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公开(公告)号：CN106663609A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580045005.9
申请日：2015-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 本文公开了用于沉积纳米晶金刚石层的方法。该方法可以包括以下步骤：输送溅镀气体到基板，该基板被定位在第一处理腔室的处理区域中，该第一处理腔室具有含碳溅镀靶材；输送能量脉冲到该溅镀气体，以产生溅镀等离子体，该溅镀等离子体具有溅镀持续时间，该能量脉冲具有介于1W/cm2和10W/cm2之间的平均功率及小于100μs并且大于30μs的脉冲宽度，该溅镀等离子体被磁场控制，该磁场小于300高斯；以及输送该溅镀等离子体到该溅镀靶材以形成离子化物种，该离子化物种在该基板上形成结晶含碳层。
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公开(公告)号：CN112053950A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010766285.5
申请日：2015-08-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/311 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本文公开了在形成半导体器件中使用的纳米结晶金刚石层以及用于形成所述纳米结晶金刚石层的方法。所述器件可包括：基板，所述基板具有处理表面与支撑表面；器件层，所述器件层形成于所述处理表面上；以及纳米结晶金刚石层，所述纳米结晶金刚石层形成于所述处理层上，所述纳米结晶金刚石层具有介于2nm至5nm之间的平均晶粒尺寸。所述方法可包括：将基板定位于处理腔室中，于处理表面上沉积器件层；于所述器件层上沉积纳米结晶金刚石层，所述纳米结晶金刚石层具有介于2nm至5nm之间的平均晶粒尺寸；图案化及蚀刻所述纳米结晶金刚石层；蚀刻所述器件层以形成特征；以及从所述器件层的表面灰化所述纳米结晶金刚石层。
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