公开(公告)号：CN107078060A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580059711.9

申请日：2015-07-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张郢 ,  仲华 ,  J·沙曼特瑞

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 在此提供用于形成FinFET结构的方法与设备。本文所述的选择性蚀刻与沉积工艺可提供于FinFET的制造而无需利用多重图案化工艺。本文所述的实施例也提供鳍片材料的制造方法，该方法用于从硅转变成三五族材料，同时维持所用的各种材料的可接受的晶格取向。进一步的实施例提供蚀刻设备，该蚀刻设备可用于执行本文所述的方法。