公开(公告)号：CN110419110B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201880017658.X

申请日：2018-01-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张郢 ,  舒伯特·S·楚 ,  鲍新宇 ,  瑞加娜.杰曼尼.弗雷德 ,  华·春

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

Abstract: 提供用于形成诸如FinFET的半导体器件的方法。在一个实施方式中，用于形成FinFET器件的方法包含移除多个鳍片中的每个鳍片的一部分，且每个鳍片的剩余部分从介电表面凹陷。方法进一步包含在每个鳍片的剩余部分上形成特征，利用介电材料填充在相邻特征之间形成的间隙，移除特征，和在每个鳍片的剩余部分上形成填充材料。因为特征的形状受控制，所以可控制填充材料的形状。

公开(公告)号：CN110419110A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201880017658.X

申请日：2018-01-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张郢 ,  舒伯特·S·楚 ,  鲍新宇 ,  瑞加娜.杰曼尼.弗雷德 ,  华·春

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

Abstract: 提供用于形成诸如FinFET的半导体器件的方法。在一个实施方式中，用于形成FinFET器件的方法包含移除多个鳍片中的每个鳍片的一部分，且每个鳍片的剩余部分从介电表面凹陷。方法进一步包含在每个鳍片的剩余部分上形成特征，利用介电材料填充在相邻特征之间形成的间隙，移除特征，和在每个鳍片的剩余部分上形成填充材料。因为特征的形状受控制，所以可控制填充材料的形状。