公开(公告)号：CN108064411A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201680032642.7

申请日：2016-06-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 曾伟民 ,  清·X·源 ,  程亚娜 ,  曹勇 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉 ,  汪荣军 ,  唐先民

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0234 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02266

Abstract: 在一些实施方式中，一种在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括：(a)经由物理气相沉积工艺在基板的第一表面的顶部上沉积介电层至第一厚度；(b)向物理气相沉积工艺腔室的处理区域提供第一等离子体形成气体，其中第一等离子体形成气体包括氢，而不包括碳；(c)向基板支撑件提供第一量的偏压功率以自物理气相沉积工艺腔室的处理区域内的第一等离子体形成气体形成第一等离子体；(d)使介电层暴露于第一等离子体中；以及(e)重复(a)至(d)来沉积介电膜至最终厚度。