-
公开(公告)号：CN106463396B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580006488.1
申请日：2015-01-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28
Abstract: 描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。
-
公开(公告)号：CN108064411A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201680032642.7
申请日：2016-06-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0234 , H01L21/0214 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02266
Abstract: 在一些实施方式中，一种在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括：(a)经由物理气相沉积工艺在基板的第一表面的顶部上沉积介电层至第一厚度；(b)向物理气相沉积工艺腔室的处理区域提供第一等离子体形成气体，其中第一等离子体形成气体包括氢，而不包括碳；(c)向基板支撑件提供第一量的偏压功率以自物理气相沉积工艺腔室的处理区域内的第一等离子体形成气体形成第一等离子体；(d)使介电层暴露于第一等离子体中；以及(e)重复(a)至(d)来沉积介电膜至最终厚度。
-
公开(公告)号：CN106463456B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201580009997.X
申请日：2015-01-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02266 , H01L21/321 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849
Abstract: 提供了用于在互连结构中的绝缘材料中所形成的金属接线层上形成钝化保护结构的方法。在一个实施例中，用于在半导体器件的互连结构中的金属接线上形成钝化保护的方法包括：在并入多腔室处理系统的处理腔室中的基板上所形成的互连结构中的由电介质块状绝缘层界定的金属接线上选择性地形成金属覆层；在处理腔室中，在基板上原位地形成阻挡层，其中所述阻挡层是金属电介质层；以及在多腔室处理系统中，在阻挡层上形成电介质覆层。
-
公开(公告)号：CN107851608A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044373.6
申请日：2016-06-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02167 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/02362 , H01L21/76826 , H01L21/76832
Abstract: 本公开内容提供一种在基板上形成的互连及在基板上形成互连的方法。在一个实施方式中，在基板上形成互连的方法包括以下步骤：将阻挡层沉积在基板上，将过渡层沉积在阻挡层上，及将蚀刻停止层沉积在过渡层上，其中该过渡层与该阻挡层共有共同元素，且其中该过渡层与该蚀刻停止层共有共同元素。
-
公开(公告)号：CN111480223B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201880080996.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 当基板存在时，具有用于保持该基板的顶表面的可移动的基板支撑件被与静止的盖环连同使用，以调节阴影效应以在沉积处理期间控制基板边缘均匀性。盖环通过电隔离的间隔件而保持静止，该间隔件与半导体处理腔室的处理空间中的接地屏蔽件接合。控制器响应于盖环的顶表面上的沉积材料而调节基板支撑件，以保持阴影效应和基板边缘均匀性。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN106463396A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580006488.1
申请日：2015-01-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28
Abstract: 描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。
-
公开(公告)号：CN111480223A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880080996.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 当基板存在时，具有用于保持该基板的顶表面的可移动的基板支撑件被与静止的盖环连同使用，以调节阴影效应以在沉积处理期间控制基板边缘均匀性。盖环通过电隔离的间隔件而保持静止，该间隔件与半导体处理腔室的处理空间中的接地屏蔽件接合。控制器响应于盖环的顶表面上的沉积材料而调节基板支撑件，以保持阴影效应和基板边缘均匀性。
-
公开(公告)号：CN106463456A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580009997.X
申请日：2015-01-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02266 , H01L21/321 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849
Abstract: 提供了用于在互连结构中的绝缘材料中所形成的金属接线层上形成钝化保护结构的方法。在一个实施例中，用于在半导体器件的互连结构中的金属接线上形成钝化保护的方法包括：在并入多腔室处理系统的处理腔室中的基板上所形成的互连结构中的由电介质块状绝缘层界定的金属接线上选择性地形成金属覆层；在处理腔室中，在基板上原位地形成阻挡层，其中所述阻挡层是金属电介质层；以及在多腔室处理系统中，在阻挡层上形成电介质覆层。
-
公开(公告)号：CN107851608B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201680044373.6
申请日：2016-06-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容提供一种在基板上形成的互连及在基板上形成互连的方法。在一个实施方式中，在基板上形成互连的方法包括以下步骤：将阻挡层沉积在基板上，将过渡层沉积在阻挡层上，及将蚀刻停止层沉积在过渡层上，其中该过渡层与该阻挡层共有共同元素，且其中该过渡层与该蚀刻停止层共有共同元素。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.018 seconds)
