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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107851608B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201680044373.6
申请日：2016-06-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容提供一种在基板上形成的互连及在基板上形成互连的方法。在一个实施方式中，在基板上形成互连的方法包括以下步骤：将阻挡层沉积在基板上，将过渡层沉积在阻挡层上，及将蚀刻停止层沉积在过渡层上，其中该过渡层与该阻挡层共有共同元素，且其中该过渡层与该蚀刻停止层共有共同元素。
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公开(公告)号：CN107078036A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580058667.X
申请日：2015-11-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76879 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L21/02068 , H01L21/28562 , H01L21/3105 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76883 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。
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公开(公告)号：CN107851608A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044373.6
申请日：2016-06-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02167 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/02362 , H01L21/76826 , H01L21/76832
Abstract: 本公开内容提供一种在基板上形成的互连及在基板上形成互连的方法。在一个实施方式中，在基板上形成互连的方法包括以下步骤：将阻挡层沉积在基板上，将过渡层沉积在阻挡层上，及将蚀刻停止层沉积在过渡层上，其中该过渡层与该阻挡层共有共同元素，且其中该过渡层与该蚀刻停止层共有共同元素。
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公开(公告)号：CN107078036B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201580058667.X
申请日：2015-11-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L23/532
Abstract: 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。
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