公开(公告)号：CN106663614B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201580043803.8

申请日：2015-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘风全 ,  马伯方 ,  艾华 ,  吕疆 ,  张镁 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。

公开(公告)号：CN107078036A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580058667.X

申请日：2015-11-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 艾华 ,  吕疆 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  马伯方 ,  柳尚澔 ,  刘风全 ,  付新宇 ,  叶伟锋

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76879 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。

公开(公告)号：CN109671666A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811198939.8

申请日：2018-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许本立 ,  刘风全 ,  河泰泓 ,  张镁 ,  谢里什·派斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67

Abstract: 描述用于利用铜的无缝间隙填充来填充特征结构的方法和装置。通过原子层沉积在基板表面上沉积铜间隙填充种晶层，接着通过物理气相沉积来沉积铜，以用铜填充间隙。

公开(公告)号：CN108138336A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057628.2

申请日：2016-09-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢祥金 ,  刘风全 ,  大平·姚 ,  亚历山大·詹森 ,  李靖珠 ,  阿道夫·米勒·艾伦 ,  唐先民 ,  张镁

IPC: C23G5/04 ,  C23G5/032 ,  C23G3/00 ,  C11D7/26 ,  C11D17/00 ,  H05K3/26

CPC classification number: H01L21/02068 ,  B08B3/00 ,  B08B3/106 ,  B08B5/00 ,  B08B7/0035 ,  B08B9/00 ,  B08B9/027 ,  C23G1/24 ,  F01D5/005 ,  F05D2230/90 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76814

Abstract: 本文提供用于处理基板的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括暴露的导电材料；和将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体包括约80重量％至约100重量％的醇类蒸气。在一些实施方式中，基板进一步包括第一表面，所述第一表面具有形成于第一表面中的开口，其中暴露的导电材料系为设置于基板中并与开口对准的导电材料的一部分，以使得设置于基板中的导电材料的一部分经由开口而暴露。

公开(公告)号：CN109671666B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201811198939.8

申请日：2018-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许本立 ,  刘风全 ,  河泰泓 ,  张镁 ,  谢里什·派斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67

Abstract: 描述用于利用铜的无缝间隙填充来填充特征结构的方法和装置。通过原子层沉积在基板表面上沉积铜间隙填充种晶层，接着通过物理气相沉积来沉积铜，以用铜填充间隙。

公开(公告)号：CN117178073A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202280029860.0

申请日：2022-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 钱丹·克雷·巴里克 ,  约翰·苏迪约诺 ,  辰丹·达斯 ,  杨玮盈 ,  马克·沙丽 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  刘风全

IPC: C23C16/18

Abstract: 本发明描述了钼(0)及配位络合物。描述了在基板上沉积含钼膜的方法。将基板暴露于钼前驱物及反应物以形成含钼膜(例如元素钼、氧化钼、碳化钼、硅化钼、二硫化钼、氮化钼)。这些暴露可为顺序的或同时的。

公开(公告)号：CN108138336B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201680057628.2

申请日：2016-09-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢祥金 ,  刘风全 ,  大平·姚 ,  亚历山大·詹森 ,  李靖珠 ,  阿道夫·米勒·艾伦 ,  唐先民 ,  张镁

IPC: C23G5/04 ,  C23G5/032 ,  C23G3/00 ,  C11D7/26 ,  C11D17/00 ,  H05K3/26

Abstract: 本文提供用于处理基板的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括暴露的导电材料；和将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体包括约80重量％至约100重量％的醇类蒸气。在一些实施方式中，基板进一步包括第一表面，所述第一表面具有形成于第一表面中的开口，其中暴露的导电材料系为设置于基板中并与开口对准的导电材料的一部分，以使得设置于基板中的导电材料的一部分经由开口而暴露。

公开(公告)号：CN119173997A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202280096022.5

申请日：2022-07-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴立其 ,  刘风全 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  詹姆斯·H·康诺利 ,  亓智敏 ,  张洁 ,  窦伟 ,  张爱西 ,  马克·萨利 ,  吕疆 ,  汪荣军 ,  戴维·汤普森 ,  唐先敏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/285

Abstract: 本公开的实施例涉及用于从特征的顶表面及侧壁选择性移除金属材料的方法。借由流动性聚合物材料覆盖的金属材料保持不受影响。在一些实施例中，金属材料借由物理气相沉积形成，从而导致相对薄的侧壁厚度。在从顶表面移除金属材料之后余留在侧壁上的任何金属材料可借由额外蚀刻工艺蚀刻。在特征底部处的所得金属层促进特征的选择性金属间隙填充。

公开(公告)号：CN107078036B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201580058667.X

申请日：2015-11-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 艾华 ,  吕疆 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  马伯方 ,  柳尚澔 ,  刘风全 ,  付新宇 ,  叶伟锋

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L23/532

Abstract: 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。

公开(公告)号：CN106663614A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580043803.8

申请日：2015-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘风全 ,  马伯方 ,  艾华 ,  吕疆 ,  张镁 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。