公开(公告)号：CN109671666B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201811198939.8

申请日：2018-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许本立 ,  刘风全 ,  河泰泓 ,  张镁 ,  谢里什·派斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67

Abstract: 描述用于利用铜的无缝间隙填充来填充特征结构的方法和装置。通过原子层沉积在基板表面上沉积铜间隙填充种晶层，接着通过物理气相沉积来沉积铜，以用铜填充间隙。

公开(公告)号：CN109671666A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811198939.8

申请日：2018-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许本立 ,  刘风全 ,  河泰泓 ,  张镁 ,  谢里什·派斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67

Abstract: 描述用于利用铜的无缝间隙填充来填充特征结构的方法和装置。通过原子层沉积在基板表面上沉积铜间隙填充种晶层，接着通过物理气相沉积来沉积铜，以用铜填充间隙。