公开(公告)号：CN107078036B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201580058667.X

申请日：2015-11-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 艾华 ,  吕疆 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  马伯方 ,  柳尚澔 ,  刘风全 ,  付新宇 ,  叶伟锋

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L23/532

Abstract: 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。

公开(公告)号：CN106663614A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580043803.8

申请日：2015-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘风全 ,  马伯方 ,  艾华 ,  吕疆 ,  张镁 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。

公开(公告)号：CN106663614B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201580043803.8

申请日：2015-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘风全 ,  马伯方 ,  艾华 ,  吕疆 ,  张镁 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。

公开(公告)号：CN107078036A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580058667.X

申请日：2015-11-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 艾华 ,  吕疆 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  马伯方 ,  柳尚澔 ,  刘风全 ,  付新宇 ,  叶伟锋

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76879 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。