公开(公告)号：CN119173997A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202280096022.5

申请日：2022-07-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴立其 ,  刘风全 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  詹姆斯·H·康诺利 ,  亓智敏 ,  张洁 ,  窦伟 ,  张爱西 ,  马克·萨利 ,  吕疆 ,  汪荣军 ,  戴维·汤普森 ,  唐先敏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/285

Abstract: 本公开的实施例涉及用于从特征的顶表面及侧壁选择性移除金属材料的方法。借由流动性聚合物材料覆盖的金属材料保持不受影响。在一些实施例中，金属材料借由物理气相沉积形成，从而导致相对薄的侧壁厚度。在从顶表面移除金属材料之后余留在侧壁上的任何金属材料可借由额外蚀刻工艺蚀刻。在特征底部处的所得金属层促进特征的选择性金属间隙填充。

公开(公告)号：CN119072768A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202380034539.6

申请日：2023-03-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许智勋 ,  岳诗雨 ,  雷蔚 ,  徐翼 ,  吕疆 ,  雷雨 ,  熊子逸 ,  杨宗翰 ,  亓智敏 ,  张爱西 ,  张洁 ,  吴立其 ,  汪荣军 ,  陈世忠 ,  吴孟珊 ,  王俊杰 ,  安娜马莱·雷克什马南 ,  杨逸雄 ,  唐先敏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法及设备。该方法包括在基板的暴露表面上形成金属种晶层，其中基板具有在基板的顶表面中形成的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁及在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化工艺以氧化金属种晶层的暴露部分，从而形成金属氧化物，其中梯度氧化工艺优先氧化基板的场区域而非特征底表面。回蚀工艺去除或减少种晶层的氧化部分。金属间隙填充工艺用间隙填充材料填充或部分填充特征。