公开(公告)号：CN119173997A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202280096022.5

申请日：2022-07-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴立其 ,  刘风全 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  詹姆斯·H·康诺利 ,  亓智敏 ,  张洁 ,  窦伟 ,  张爱西 ,  马克·萨利 ,  吕疆 ,  汪荣军 ,  戴维·汤普森 ,  唐先敏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/285

Abstract: 本公开的实施例涉及用于从特征的顶表面及侧壁选择性移除金属材料的方法。借由流动性聚合物材料覆盖的金属材料保持不受影响。在一些实施例中，金属材料借由物理气相沉积形成，从而导致相对薄的侧壁厚度。在从顶表面移除金属材料之后余留在侧壁上的任何金属材料可借由额外蚀刻工艺蚀刻。在特征底部处的所得金属层促进特征的选择性金属间隙填充。

公开(公告)号：CN117295842A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280021178.7

申请日：2022-03-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 窦伟 ,  曹勇 ,  李明东 ,  谢恩·拉万 ,  乔斯林甘·罗摩林甘 ,  刘程玉

IPC: C23C14/56

Abstract: 本文提供了用于减少物理气相沉积(PVD)腔室中的颗粒形成的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，一种减少PVD腔室中的颗粒形成的方法包括：在设置于所述PVD腔室中的基板支撑件上的对应系列的基板上执行多个第一沉积工艺，其中所述PVD腔室包括盖环，所述盖环设置在所述基板支撑件周围并且具有纹理化的外表面，并且其中在所述多个第一沉积工艺的每个第一沉积工艺期间将具有第一厚度的氮化硅(SiN)层沉积到所述纹理化的外表面上；和在所述多个第一沉积工艺的子集之间在所述盖环上执行第二沉积工艺，以将具有第二厚度的非晶硅层沉积到下伏的(underlying)氮化硅(SiN)层上。

公开(公告)号：CN119768908A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380064123.9

申请日：2023-09-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吕疆 ,  吴立其 ,  窦伟 ,  叶伟峰 ,  陈世忠 ,  汪荣军 ,  唐先敏 ,  万一扬 ,  张书锚 ,  郭涧秋

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532

Abstract: 用于减小接触电阻的方法包括在中间工序(MOL)接触结构上执行选择性硅化钛(TiSi)沉积工艺，该中间工序(MOL)接触结构包括在介电材料的基板中的空腔。接触结构亦包括在空腔的底部处的硅基连接部分。相对于介电材料，选择性TiSi沉积工艺对硅基材料有选择性。方法亦包括在MOL接触结构上执行金属材料的选择性沉积工艺。相对于介电材料，选择性沉积工艺对TiSi材料有选择性且在硅基连接部分上形成硅化物封盖层。方法进一步包括在接触结构上执行金属材料的种晶层沉积工艺。