公开(公告)号：CN120019473A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380074082.1

申请日：2023-10-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 宋亮 ,  刘程玉

IPC: H01L21/033 ,  G03F7/11

Abstract: 提供形成EUV光刻胶硬掩模的方法。该方法包括用还原等离子体处理基板上的富金属层以在富金属层上形成金属表面，富金属层具有包括金属氧化物层的顶部分。富金属层包含锡(Sn)、铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、碲(Te)、锑(Sb)、镍(Ni)、钛(Ti)、铝(Al)、钽(Ta)、铋(Bi)和铅(Pb)中的一者或多者。

公开(公告)号：CN119856250A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380068103.9

申请日：2023-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 房裴娇 ,  李明东 ,  刘程玉

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了通过物理气相沉积工艺沉积非晶硅膜的方法。在一些实施方式中，在物理气相沉积(PVD)处理腔室中沉积非晶硅的方法包括：(a)通过物理气相沉积工艺在设置于基板支撑件上的基板的表面的顶上沉积非晶硅层，与此同时非晶硅亦沉积在PVD处理腔室内的部件的顶上；以及在沉积于部件上的非晶硅的顶上沉积胶层。所述胶层可以是硅化合物。所述硅化合物可以是硅与碳、氮或氧中的一或多者的化合物。在一些实施方式中，硅化合物是SiC、SiN、SiO、SiCN或SiON。

公开(公告)号：CN118043953A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280058581.7

申请日：2022-07-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘程玉 ,  熊睿通 ,  谢波 ,  唐先民 ,  刘宜君 ,  夏立群

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/04 ,  C23C14/34

Abstract: 一种用于基板上的特征的介电填充的方法产生用于窄特征的具有高介电常数的无缝介电填充件。在一些实施方式中，所述方法可包括：将金属材料沉积到特征中以从特征的底部填充特征，其中特征在基板的上表面处具有从小于20nm至近似150nm范围变化的开口，并且其中沉积金属材料使用高离子化物理气相沉积(PVD)工艺执行以形成无缝金属间隙填充件并且通过利用氧化/氮化工艺以氧化/氮化无缝金属间隙填充件的金属材料来处理无缝金属间隙填充件以形成介电材料，其中无缝金属间隙填充件转化为具有高介电常数介电材料的无缝介电间隙填充件。

公开(公告)号：CN117295842A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280021178.7

申请日：2022-03-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 窦伟 ,  曹勇 ,  李明东 ,  谢恩·拉万 ,  乔斯林甘·罗摩林甘 ,  刘程玉

IPC: C23C14/56

Abstract: 本文提供了用于减少物理气相沉积(PVD)腔室中的颗粒形成的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，一种减少PVD腔室中的颗粒形成的方法包括：在设置于所述PVD腔室中的基板支撑件上的对应系列的基板上执行多个第一沉积工艺，其中所述PVD腔室包括盖环，所述盖环设置在所述基板支撑件周围并且具有纹理化的外表面，并且其中在所述多个第一沉积工艺的每个第一沉积工艺期间将具有第一厚度的氮化硅(SiN)层沉积到所述纹理化的外表面上；和在所述多个第一沉积工艺的子集之间在所述盖环上执行第二沉积工艺，以将具有第二厚度的非晶硅层沉积到下伏的(underlying)氮化硅(SiN)层上。