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公开(公告)号：CN120019473A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380074082.1
申请日：2023-10-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , G03F7/11
Abstract: 提供形成EUV光刻胶硬掩模的方法。该方法包括用还原等离子体处理基板上的富金属层以在富金属层上形成金属表面，富金属层具有包括金属氧化物层的顶部分。富金属层包含锡(Sn)、铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、碲(Te)、锑(Sb)、镍(Ni)、钛(Ti)、铝(Al)、钽(Ta)、铋(Bi)和铅(Pb)中的一者或多者。
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